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制造商:

onsemi

产品种类:

MOSFET

技术:

Si

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

PQFN-88-8

晶体管极性:

N-Channel

通道数量:

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

60 V

Id-连续漏极电流:

477 A

Rds On-漏源导通电阻:

680 uOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

2.5 V

Qg-栅极电荷:

225 nC

Pd-功率耗散:

294.6 W

通道模式:

Enhancement

封装:

Reel

封装:

Cut Tape

商标:

onsemi

配置:

Single

下降时间:

60.7 ns

产品类型:

MOSFET

上升时间:

26.3 ns

工厂包装数量:

3000

子类别:

MOSFETs

晶体管类型:

1 N-Channel

典型关闭延迟时间:

263 ns

典型接通延迟时间:

35.3 ns

单位重量:

4.096 g