57 nC
- 55 C
+ 175 C
167 W
企业名：深圳市毅创辉电子科技有限公司
类型：
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联系人：朱先生/周艳丽
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邮箱：ychhn06@yichuanghui.com
地址：广东深圳深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
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产品属性 | 属性值 | 选择属性 |
制造商: | Infineon |
|
产品种类: | MOSFET |
|
RoHS: | 详细信息 |
|
安装风格: | SMD/SMT |
|
封装 / 箱体: | D2PAK-3 (TO-263-3) |
|
晶体管极性: | N-Channel |
|
通道数量: | 1 Channel |
|
Vds-漏源极击穿电压: | 100 V |
|
Id-连续漏极电流: | 135 A |
|
Rds On-漏源导通电阻: | 4.35 mOhms |
|
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, %2B 20 V |
|
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2.2 V |
|
Qg-栅极电荷: | 57 nC |
|
zui小工作温度: | - 55 C |
|
zui大工作温度: | %2B 175 C |
|
Pd-功率耗散: | 167 W |
|
通道模式: | Enhancement |
|
系列: | XPB042N10 |
|
封装: | Reel |
|
封装: | Cut Tape |
|
商标: | Infineon Technologies |
|
配置: | Single |
|
下降时间: | 8 ns |
|
正向跨导 - zui小值: | 70 S |
|
产品类型: | MOSFET |
|
上升时间: | 71 ns |
|
工厂包装数量: | 800 |
|
子类别: | MOSFETs |
|
典型关闭延迟时间: | 27 ns |
|
典型接通延迟时间: | 18 ns |
|
零件号别名: | IPB043N10NF2S SP005741998 |
|
公司成立2008年，拥有16年供货经验
我们只从原厂或者代理商正规渠道进货，保证原厂原装。
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