存储器HY27UF082G2B

产品用途：应用于视频及数据方面的存储，256M  Nand Flash   hy27uf082g2b在电路中作用是作为FLASH中存储程序或数据的存储器。

存储器HY27UF082G2B产品图片：

存储器HY27UF082G2B 产品参数：

型号：HY27UF082G2B

品牌：SK HYNIX

类型：NAND FLASH

封装：TSOP48

材料：硅

电压：3.3V

功耗：0.01W

存储温度：-55-120°

工作温度：0-75°

存储环境：常温

2Gbit (256Mx8bit) NAND Flash。

处理信号：数模混合信号。

导电类型：单极型。

制作工艺：半导体集成。

集成程度：小规模。

输入\输出口：23位。

规格尺寸：12*20*1.2（mm）。

工作温度：0~70（℃）。

静态功耗：10（mW）。

存储器HY27UF082G2B特点：

Hynix Nand Hy27UF（08/16）2G2B系列具有256mx8bit的备用8mx8位容量。该设备采用3.3V VCC。

电源，以及X8和X16 I/O接口，其NAND单元为固态提供了经济有效的解决方案。

大容量存储市场。内存被分为若干块，这些块可以独立擦除，因此可以保留

清除旧数据时的有效数据。

该接口可减少管脚数量，并易于向不同密度迁移，而无需重新排列

足迹。命令、数据和地址使用CE、WE、RE、ALE和CLE输入引脚同步引入。这个

片上程序/擦除控制器自动执行所有读取、编程和擦除功能，包括脉冲重复，其中

必要的，内部核查和数据保证金。可以使用wp输入锁定修改操作。这个

输出引脚R/B（开漏缓冲器）在每次操作期间向设备状态发出信号。在具有多个存储器的系统中

R/B引脚可以全部连接在一起，以提供全局状态信号。

复制回功能允许优化有缺陷的块管理。当页程序操作失败时

数据可以直接在同一阵列段内的另一个页面中编程，而不需要耗时的串行数据。

数据插入阶段。复制回操作自动执行嵌入错误检测操作：1位错误

可以检测到每264个字（x16）中的每528字节（x8）或1位错误。由于此功能，它不再是必需的

也不建议使用外部2位ECC来检测复制操作错误。复制回读后读取的数据

（对于单平面和多平面的情况）是允许的。

即使是写密集型系统也可以利用HY27UF（08/16）2G2B系列扩展的100K程序可靠性。/

通过支持ECC（纠错码）和实时映射输出算法来清除周期。芯片支持CE

不在乎功能。

该设备还包括其他功能，如OTP/Unique ID Area、Read ID2扩展。

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