SST39VF160-70-4C-EKE是一款高性能CMOS超快闪技术。该分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注射器获得更好的可靠性和可制造性比较与替代方法SST39VF160x/320x/640x写（编程或擦除）用2.7 - 3.6V电源。这些器件符合JEDEC标准引脚为X16的回忆。
配备高性能的Word的程序，它是SST39VF160x/320x/640x器件提供了一个典型的字，节目时间为7微秒。这些设备使用触发位或
数据＃轮询来表示程序操作完成。为了防止意外写，他们对芯片硬件和软件数据保护计划。设计，制造，并为广泛的测试应用，这些器件提供保证典型的耐力10万次。数据保存的额定在100年以上。该SST39VF160x/320x/640x器件适合应用需要便捷，经济的更新
计划，配置或数据存储器。对于所有系统应用，可以显着提高性能和可靠性，同时降低功耗。他们天生擦除过程中使用，比计划少的替代能源闪存技术。总能量消耗是功能的电压，电流和应用的时间。因为对于任何给定的电压范围，超快闪技术使用较少的电流方案，并在较短擦除时间，总能量消耗或在任何擦除程序操作比其他闪存技术少。这些设备还可以提高灵活性，同时降低对程序，数据和配置存储应用的成本。的超快闪技术提供固定的擦除和编程次，在擦除/编程数量无关已发生的周期。因此，系统软件或硬件没有被修改或取消评为是必要时与其他闪存技术，其擦除和编程次数的增加与积累擦除/编程周期。

1>温度下偏差：-55 ° C至 125 ° C
2>存储温度：-65 ° C至 150 ° C
3>直流电压任意管脚对地电位：- 0.5V至VDD 0.5 V
4>瞬态电压引脚上的任何地面（<20纳秒）潜力：- 2.0V至VDD 2.0 V
5>在A9引脚电压对地电位：- 0.5V至13.2V
6>封装功率耗散能力（TA = 25℃）：1.0W
7>表面贴装引线焊接温度（3秒）：240 ° C
8>输出短路电流1：50毫安

特点：
•组织为1M X16：SST39VF1601/1602
2M X16：SST39VF3201/3202
4M X16：SST39VF6401/6402
•单电压读写操作
- 2.7 - 3.6V
•卓越的可靠性
- 耐力：100,000周期（典型）
- 大于100年数据保存期
•低功耗（典型值在5兆赫）
- 工作电流：10 mA（典型）
- 待机电流：3μA（典型值）
- 自动低功耗模式：3μA（典型值）
•硬件Block-Protection/WP＃输入引脚
- 顶块保护（前32 KWord）
为SST39VF1602/3202/6402
- 底部块保护（底部32 KWord）
为SST39VF1601/3201/6401
•扇区擦除功能
- 统一2 KWord部门
•块擦除功能
- 统一32 KWord块
•芯片擦除功能
•Erase-Suspend/Erase-Resume能力
•安全- ID功能
- SST：128位;用户：128位
•快速读取时间：
- 70纳秒
- 90纳秒
•锁存地址和数据
•快速擦除和字程序：
- 扇区擦除时间：18毫秒（典型）
- 块擦除时间：18毫秒（典型）
- 芯片擦除时间：40毫秒（典型）
- Word的程序时间：7μs（典型值）
•自动写时序
- 内部VPP代
•终了写检测
- 切换位
- 数据＃轮询
•CMOS I / O兼容性
•JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
•封装可供选择
- 48引脚TSOP（12毫米x 20毫米）
- 48球TFBGA（6 × 8毫米）为16M和32M
- 48球TFBGA（8毫米× 10毫米）为64M

企业名：深圳市硕实科技有限公司

类型：生产企业

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