产品属性IRFR7546TRPBF
类型
描述
选择 
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
StrongIRFET™
包装
卷带（TR）IRFR7546TRPBF
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
56A（Tc）
驱动电压（MAX Rds On，MIN Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（MAX）
7.9 毫欧 @ 43A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（MAX）
3.7V @ 100μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（MAX）
87 nC @ 10 V
Vgs（MAX）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（MAX）
3020 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（MAX）
99W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型IRFR7546TRPBF
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IRFR7546
环境与出口分类
属性 描述IRFR7546TRPBF
RoHS 状态 符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL) 1（无限）
REACH 状态 非 REACH 产品
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：56A 功率(Pd)：99W 

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.9mΩ@10V,43A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.7V@100μA N沟道,60V,71A,7.9mΩ@10V

企业名：深圳市华诺星科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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