该SLV系列瞬态电压抑制器是国家的的设计，以保护低压， CMOS从半导体瞬变引起的电 -静电放电（ESD） ，电缆放电事件（CDE） ，雷电等引起的电压浪涌。该器件采用Semtech的propri-构建etary EPD制程技术。环保署过程亲国际志愿组织的低电压对峙与显著降低在漏电流和电容超过硅雪崩二极管的过程。该SLVU2.8-4特点集成低电容补偿二极管降低了典型的电容，每行至5pF的。对此，结合低漏电流，是指信号完整性是在高速应用中，例如保存如10/100以太网。该SLVU2.8-4处于SO-8封装并且可以使用为了保护两个高速线对。在??流通？设计限度地减少引线电感，并减少电压过冲与ESD事件有关。低在SLVU2.8-4的钳位电压化上的应力保护集成电路。该SLV系列TVS二极管将满足激增要求一IEC 61000-4-2的ments ， 4级。

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