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FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）60V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）60A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）16 毫欧 @ 30A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）66nC @ 10VVgs（值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）1810pF @ 25VFET 功能-功率耗散（值）110W（Tc）工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装DPAK封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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