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STN1HNK60全新原装公司现货假一赔万市场!需要联系15986803730

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商品信息


FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 400mA(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 3.7V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 156pF @ 25V
Vgs(值) ±30V
FET 功能 -
功率耗散(值) 3.3W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 8.5 欧姆 @ 500mA,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-223

主营产品全新原装业界!公司现货库存,假一赔万,可上门看货。欢迎来电咨询!


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