欢迎来到SI9435BDY-T1-E3的产品页面！

详细介绍：

数据列表SI9435BDY;标准包装  2,500包装  标准卷带 

零件状态有源类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列TrenchFET®

规格FET 类型P 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）4.1A（Ta）驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）

42 毫欧 @ 5.7A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）3V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）24nC @ 10VVgs（值）±20VFET 功能-功率耗散（值）1.3W（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型供应商器件封装8-SO封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

数据列表SI9435BDY;标准包装  2,500包装  标准卷带

零件状态有源类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列TrenchFET®

规格FET 类型P 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）4.1A（Ta）驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）

42 毫欧 @ 5.7A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）3V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）24nC @ 10VVgs（值）±20VFET 功能-功率耗散（值）1.3W（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型供应商器件封装8-SO封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

数据列表SI9435BDY;标准包装  2,500包装  标准卷带

零件状态有源类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列TrenchFET®

规格FET 类型P 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）4.1A（Ta）驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）

42 毫欧 @ 5.7A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）3V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）24nC @ 10VVgs（值）±20VFET 功能-功率耗散（值）1.3W（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型供应商器件封装8-SO封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

感谢来到SI9435BDY-T1-E3的产品页面！由深圳亚芯电子科技有限公司为您提供，位于深圳坂田华众科技园，我们将以贴心的服务，给您的品质！

企业名：亚芯电子（深圳）有限公司

类型：原厂制造商

电话： 86755-83779599
86755-89552255

手机：18028799090
18938936909

联系人：吴生/董小姐

QQ：

邮箱：2821917996@qq.com

地址：广东深圳深圳市龙岗区坂田百瑞达大厦A座14楼13A02-13A03