CSD18504Q5AT
TI(德州仪器)
CSD18504Q5AT
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
低频
NPN型
企业名:亚芯电子(深圳)有限公司
类型:原厂制造商
电话:
86755-83779599
86755-89552255
手机:18028799090
18938936909
联系人:吴生/董小姐
邮箱:2821917996@qq.com
地址:广东深圳深圳市龙岗区坂田百瑞达大厦A座14楼13A02-13A03
∟ 桥堆/整流桥/桥式整流器(1)
详细介绍:
FET 类型:N
通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)50A(Ta)
驱动电压( Rds On, Rds On)4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)6.6 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值)2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)9.2nC @ 4.5VVgs(值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)1656pF @ 20V
FET 功能-功率耗散(值)3.1W(Ta),77W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装8-VSONP(5x6)
封装/外壳8-PowerTDFN
包装 标准卷带
零件状态:有源
类别:分立半导体
产品产品:族晶体管 - FET,MOSFET -单
系列:NexFET™
FET 类型N
通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)50A(Ta)
驱动电压( Rds On, Rds On)4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)6.6 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值)2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)9.2nC @ 4.5VVgs(值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)1656pF @ 20V
FET 功能-功率耗散(值)3.1W(Ta),77W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装8-VSONP(5x6)
封装/外壳8-PowerTDFN
包装 标准卷带
零件状态:有源
类别:分立半导体
产品产品:族晶体管 - FET,MOSFET -单
系列:NexFET™
FET 类型N
通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)50A(Ta)
驱动电压( Rds On, Rds On)4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)6.6 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值)2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)9.2nC @ 4.5VVgs(值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)1656pF @ 20V
FET 功能-功率耗散(值)3.1W(Ta),77W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装8-VSONP(5x6)
封装/外壳8-PowerTDFN
包装 标准卷带
零件状态:有源
类别:分立半导体
产品产品:族晶体管 - FET,MOSFET -单
系列:NexFET™
欢迎来到亚芯电子CSD18504Q5AT的页面!由深圳亚芯电子科技有限公司为您提供,地址位于深圳市坂田华众科技园,主要经营半导体行业,如MOSFET、二极管、三极管、晶圆及成品等。
企业名:亚芯电子(深圳)有限公司
类型:原厂制造商
电话:
86755-83779599
86755-89552255
手机:18028799090
18938936909
联系人:吴生/董小姐
邮箱:2821917996@qq.com
地址:广东深圳深圳市龙岗区坂田百瑞达大厦A座14楼13A02-13A03
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司