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双极性晶体管

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ULN2003AIDR 双极性晶体管（BJT）- 阵列
ULN2003AIDR 双极性晶体管（BJT）- 阵列
  • 型号：

    ULN2003AIDR

  • 类别：

    分立半导体产品

  • 封装：

    16-SOIC

  • 批次：

    21+

  • 工作温度：

    -40°C ~ 105°C（TA）

TIP137封装TO-220双极性晶体管BJT原装
TIP137封装TO-220双极性晶体管BJT原装
  • 型号/规格：

    TIP137

  • 品牌/商标：

    ST（意法半导体）

  • 封装形式：

    TO-220

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    管件

  • 极性：

    PNP - 达林顿

2SC6097-TL-E 分立半导体产品 双极性晶体管
2SC6097-TL-E 分立半导体产品 双极性晶体管
  • 型号/规格：

    2SC6097-TL-E

  • 品牌/商标：

    ON/安森美

  • 封装：

    TO-252

  • 批号：

    1513+

  • 包装方式：

    卷带编带包装

双极性晶体管 2N5551RLRAG TO-92-3
双极性晶体管 2N5551RLRAG TO-92-3
  • 型号/规格：

    2N5551RLRAG

  • 品牌/商标：

    ON

  • 封装：

    TO-92-3

  • 批号：

    20+

  • 频率 - 跃迁：

    300MHz

  • 工作温度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

TIP41CF-U/PF直插三极管双极性晶体管
TIP41CF-U/PF直插三极管双极性晶体管
  • 型号/规格：

    TIP41CF-U/PF

  • 品牌/商标：

    KEC

  • 封装形式：

    TO-220IS

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装

双极性晶体管（BJT）Taiwan KTC3198-Y A1G
双极性晶体管（BJT）Taiwan KTC3198-Y A1G
  • 型号/规格：

    KTC3198-Y A1G

  • 品牌/商标：

    Taiwan

  • 封装：

    TO-92

  • 批号：

    2020+

  • 最小工作温度：

    -55°C

  • 最大工作温度：

    150°C

MMBTA06LT1G双极性晶体管 (BJT)
MMBTA06LT1G双极性晶体管 (BJT)
  • 型号/规格：

    MMBTA06LT1G

  • 品牌/商标：

    ON安森美

  • 封装：

    TO-236-3

  • 批号：

    21+

  • 安装类型：

    表面贴装型

BC807-25LT1G ON安森美IC 双极性晶体管BJT
BC807-25LT1G ON安森美IC 双极性晶体管BJT
  • 型号/规格：

    BC807-25LT1G

  • 品牌/商标：

    ON Semiconductor

  • 封装：

    TO-236-3

  • 批号：

    20+

  • 晶体管类型：

    PNP

  • 电压：

    45V

  • 电流：

    500 mA

  • 工作温度：

    -55°C ~ 150°C（TJ

NJVMJD31CT4G双极性晶体管
NJVMJD31CT4G双极性晶体管
  • 型号/规格：

    NJVMJD31CT4G

  • 品牌/商标：

    ON

  • 封装：

    SOT-252

  • 批号：

    21+

  • 数量：

    10000

ULN2803ADWR德州仪器双极性晶体管
ULN2803ADWR德州仪器双极性晶体管
  • 型号/规格：

    ULN2803ADWR

  • 品牌/商标：

    TI(德州仪器)

  • 封装：

    SOIC-18

  • 批号：

    22+

  • 包装：

    2000片/圆盘

  • 工作温度：

    -40℃ ~ 85℃ (TA)

  • 额定电压(DC)：

    500 mA

  • 输出电压：

    50 V

什么是双极性晶体管?

  • 双极性晶体管（英语：bipolar transistor），全称双极性结型晶体管（bipolar junction transistor, BJT），俗称三极管，是一种具有三个终端的电子器件。双极性晶体管是电子学历史上具有革命意义的一项发明，其发明者威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布喇顿被授予了1956年的诺贝尔物理学奖。 这种晶体管的工作，同时涉及电子和空穴两种载流子的流动，因此它被称为双极性的，所以也称双极性载流子晶体管。这种工作方式与诸如场效应管的单极性晶体管不同，后者的工作方式仅涉及单一种类载流子的漂移作用。两种不同掺杂物聚集区域之间的边界由PN结形成。 双极性晶体管由三部分掺杂程度不同的半导体制成，晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。以NPN晶体管为例，按照设计，高掺杂的发射极区域的电子，通过扩散作用运动到基极。在基极区域，空穴为多数载流子，而电子少数载流子。由于基极区域很薄，这些电子又通过漂移运动到达集电极，从而形成集电极电流，因此双极性晶体管被归到少数载流子设备。 双极性晶体管能够放大信号，并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力，，所以它常被用来构成放大器电路，或驱动扬声器、电动机等设备，并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。

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