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          稳压二极管 晶体抑制开关BZX84C4V3 SOT-23稳压二极管是利用二极管反向击穿特性而制作的元件,其在电路当中最应该注意的一点既稳压二极管要反向使用,也就是要将稳压二极管的负极接电源的正极,其正极接电源的负极,这一点要牢记。常用的稳压二极管有1N4728--1N4769系列,其稳压范围3.3v--100v。但由于稳压二极管的输出电流值不大,故常用在工作电流较小的线路当中。此外利用稳压二极管的稳压特性在有关电子线路当中,它还被赋予限幅、电压采用比较的作用。

           稳压二极管在反向击穿状态下，具有虽然电流在较大范围内变化，但其两端电压却基本不变的特性。利用稳压二极管的这一特性，可以组成简单稳压电路。电路如下图所示，稳压二极管VD与负载电阻RL并联，VD上电压即是输出电压U0，R1为限流电阻。稳压二极管工作于反向击穿状态，其反向击穿电压即是稳定电压U2，如图5-85伏安特性曲线所示，在UZ处，电流在较大范围变化时，电压基本不三极管基本作用是放大，它可以把微弱的电信号放大到一定强度，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。

        三极管全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电结。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。

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