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霍尔元件（锑化铟）*119，微功耗元器件

供应霍尔元件（锑化铟）*119，微功耗元器件

供应霍尔元件（锑化铟）*119，微功耗元器件

加工定制：
否
品牌/商标：
TOSHIBA/东芝
型号/规格：
*119
种类：
霍尔
材料：
聚合物
材料物理性质：
半导体
材料晶体结构：
多晶
制作工艺：
集成
输出信号：
数字型
*护等级：
A
灵敏度：
A
分辨率：
A

发布询价信息

普通会员

企业名：苏州思迪科电子科技有限公司

类型：生产加工

电话： 512-68700225

联系人：司马剑

地址：江苏苏州彩香路6号金阊科技产业园A座208室

产品分类

场效应管MOSFET(1)
∟ 其他场效应管模块(1)
开关(14)
∟ 舌簧/干簧管（磁控管）开关(1)∟ 霍尔开关(10)∟ 其他电子类开关(2)
传感器(67)
∟ 霍尔传感器(43)∟ 其他传感器(23)
继电器(6)
∟ 其他继电器(6)
仪器/仪表(1)
∟ 记录仪表(1)
其他未分类(2)

新品上架

商品信息

概述：

*119砷化镓霍尔元件是一种采用Ⅲ-Ⅴ族半导体材料砷化镓(GaAs)单晶,用离子注入工艺制作的磁电转换元件，可将磁场强度信号线性地转换成电压讯号输出。

产品特点

线性度优良、温度稳定性好、采用微型封装

典型应用

磁场测量、无刷电机、电流传感器、无触点开关、位置控制、转速检测

*限参数

*大控制电流Ii_{····························}10 mA

工作环境温度T_A_{···············}-55～125℃

贮存温度范围T_{S ················}-55～150℃

电特性　（T_A＝25℃）

参　　数	*　号	测试条件	量值	单位
霍尔输出电压	V_H	Ii=5mA B=100mT	50～130	mV
不等位电压	V_O/V_H	Ii=5mA B=0/ B=100mT	≤12	%
输入电阻	Ri	Ii=1mA	450～900	Ω
输出电阻	R_O	Ii=1mA	900～1800	Ω
VH的温度系数	а_VH	Ii=5mA B=100mT	-0.07	%/℃
输入电阻与输出电阻的温度系数	а_i,o	Ii=1mA B=0mT	0.3	%/℃
线性度	ΔK_H	Ii=5mA B=0～300mT	＜2	%

联系方式

企业名：苏州思迪科电子科技有限公司

类型：生产加工

电话： 512-68700225

联系人：司马剑

地址：江苏苏州彩香路6号金阊科技产业园A座208室

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