BSC028N06NSATMA1  Infineon    单个

制造商   

Infineon Technologies

制造商零件编号   

BSC028N06NSATMA1

 BSC028N06NSATMA1  Infineon    单个

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    23A（Ta），100A（Tc）

驱动电压（大 Rds On， Rds On）      6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）      2.8 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）  2.8V @ 50μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）    37nC @ 10V

Vgs（大值）     ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）  2700pF @ 30V

FET 功能       -

功率耗散（大值）    2.5W（Ta），83W（Tc）

工作温度       -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    PG-TDSON-8-7

封装/外壳      8-PowerTDFN

BSC028N06NSATMA1  Infineon    单个

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