IXFH72N30X3  IXYS  单个

制造商

IXYS

制造商产品编号

IXFH72N30X3

IXFH72N30X3  IXYS  单个 

包装管件

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）300 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)72A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）19 毫欧 @ 36A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）4.5V @ 1.5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）82 nC @ 10 V

Vgs（大值）±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）5.4 nF @ 25 V

FET 功能-

功率耗散（大值）390W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-247（IXTH）

封装/外壳TO-247-3

IXFH72N30X3  IXYS  单个 

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