NTJD4105CT1G  onsemi  阵列

制造商

onsemi

制造商产品编号

NTJD4105CT1G

NTJD4105CT1G  onsemi  阵列 

卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带

零件状态在售

FET 类型N 和 P 沟道

FET 功能逻辑电平门

漏源电压（Vdss）20V，8V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)630mA，775mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）375 毫欧 @ 630mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）3nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）46pF @ 20V

功率 - 大值270mW

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

封装/外壳6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装SC-88/SC70-6/SOT-363

NTJD4105CT1G  onsemi  阵列

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