AT45DB321E-SHF-T描述： 

制造商：Adesto Technologies
系列：-
包装：带卷（TR）
零件状态：在售
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH
AT45DB321E-SHF-T存储容量：32Mb （528 字节 x 8192 页）
时钟频率：85MHz
写周期时间 - 字页:8µs，4ms
存储器接口:SPI
AT45DB321E-SHF电压 - 电源:2.3 V ~ 3.6 V
AT45DB321E-SHF-T工作温度:-40°C ~ 85°C（TC）
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） 

 

非易失性存储器（nonvolatile memory，NVM）技术得到了快速发展。非易失性存储器主要分为块寻址和字节寻址两类。以闪存（flashmemory）为代表的块寻址非易失性存储器已经广泛应用于嵌入式系统、桌面系统及数据中心等系统中。
字节寻址的非易失性存储器主要包括相变存储器（phase change memory，PCM）、阻变存储器（resistive random- accessmemory，RRAM）、
自旋矩存储器（spin-transfer torque RAM，STT- RAM）等 。而在字节寻址的非易失性存储技术方面，NVDIMM是已经商用的一种模拟持久性内存存储器件。NVDIMM采用闪存与DRAM（动态随机存储器）的混合形式，并采用电容或后备电源保证DRAM数据掉电不丢，以模拟持久性内存。2015年，英特尔与镁光公司联合发布的3D XPoint存储技术，是接近商用的、真正意义上的、字节寻址的非易失性存储器。随着非易失性存储器硬件技术的成熟，基于非易失性器件构建存储系统成为当前的研究热点之一。
在应用方面，高性能计算和大数据分析对数据的存储与处理的要求越来越高，对非易失性存储器的使用有着迫切的需求。数据密集型应用的比例逐渐超越计算密集型应用，成为了计算机系统中的主流应用。然而，外存存储性能的提升远远落后于计算性能的提升，传统存储系统的性能远不能满足高性能计算与大数据应用的需求。为此，非易失性存储器因具有性能高、能耗低和体积小等优点，对于数据密集型应用的性能提升具有重要意义。然而，传统存储系统的构建方式不仅不利于发挥非易失性存储器在性能方面优势，还暴露了易失性存储器在耐久性（使用寿命）、读写不对称等方面的劣势。 

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