晶体三*管的结构和类型
　　晶体三*管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的*元件。三*管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，如图从三个区引出相应的电*，分别为基*b发射*e和集电*c。
　　发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电*。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三*管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射*箭头向里；NPN型三*管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射*箭头向外。发射*箭头向外。发射*箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三*管和锗晶体三*管都有PNP型和NPN型两种类型。

三*管的封装形式和管脚识别
　　常用三*管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有*的规律，如图对于小功率金属封装三*管，按图示底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三*管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。

　　目前，国内各种类型的晶体三*管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三*管，*须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三*管的特性及相应的技术参数和资料。

晶体三*管的电流放大作用
　　晶体三*管具有电流放大作用，其实质是三*管能以基*电流微小的变化量来控制集电*电流较大的变化量。这是三*管*基本的和*重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三*管的电流放大倍数，用*号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三*管来说是一个定值，但随着三*管工作时基*电流的变化也会有*的改变。

晶体三*管的三种工作状态
　　截止状态：当加在三*管发射结的电压小于PN结的导通电压，基*电流为*，集电*电流和发射*电流都为*，三*管这时失去了电流放大作用，集电*和发射*之间相当于开关的断开状态，我们称三*管处于截止状态。
　　放大状态：当加在三*管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三*管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基*电流对集电*电流起着控制作用，使三*管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三*管处放大状态。
　　饱和导通状态：当加在三*管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基*电流*到*程度时，集电*电流*随着基*电流的*而*，而是处于某*值附近不怎么变化，这时三*管失去电流放大作用，集电*与发射*之间的电压很小，集电*和发射*之间相当于开关的导通状态。三*管的这种状态我们称之为饱和导通状态。
　　根据三*管工作时各个电*的电位高低，就能判别三*管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三*管各脚的电压，从而判别三*管的工作情况和工作状态。

使用多用电表检测三*管

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