Micron动态存储器 MT41K256M8DA-125IT:K

制造商 Micron Technology Inc.
型号 MT41K256M8DA-125IT:K TR

描述 SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 800MHz 13.75ns 78-FBGA（8x10.5）
1.35 v DDR3L内部设备是一个低电压版本
1.5 v的DDR3 SDRAM的设备。指的是
DDR3 SDRAM(1.5 v)数据表规格时
在1.5 v兼容模式下运行。
MT41K256M8DA-125 IT:K特性
•VDD = VDDQ = 1.35 v(1.283 - -1.45 v)
•向后兼容VDD = VDDQ v = 1.5±0.075 v
•微分双向数据选通
•8 n位预取架构
•微分时钟输入(CK、CK #)
•8内部银行
•名义和动态on-die终止(ODT)
对数据、闪光灯和面具的信号
•可编程CAS(读)延迟(CL)
•可编程序发布CAS添加剂延迟(AL)
•可编程CAS(写)延迟(CWL)
•固定区间长度(提单)8、冲切(BC)4
(通过模式寄存器设置(夫人))
•选择BC4或BL8动态(传递)
•自刷新模式
•TC 95°C
- 64 ms,8192 -周期刷新到85°C
- 32女士,8192 -周期刷新> 85°C到95°C
•自我刷新温度(SRT)
•自动自我刷新(ASR)
•写水平
•多用途登记
•输出驱动器c

MT41K256M8DA-125IT:K产品属性
制造商: Micron Technology 
产品种类: 动态随机存取存储器 
封装 / 箱体: FBGA-78 
系列: MT41K 
封装: Tray 
商标: Micron  
安装风格: SMD/SMT  
产品类型: DRAM  
工厂包装数量: 2000  

功能描述
DDR3 SDRAM使用双倍数据速率的架构实现高速运行。
双数据速率架构是一个8 n-prefetch架构和接口设计
将两个数据字每个时钟周期在I / O管脚。一个读或写
操作的DDR3 SDRAM有效地由一个8 n-bit-wide four-clockcycle
数据传输为核心内部DRAM和八个相应n-bit-wide,onehalf-clock-cycle
数据传输在I / O管脚。
微分数据选通(dq,dq #)外部传播,以及数据
使用在数据捕获的DDR3 SDRAM输入接收器。dq与数据居中对齐
对于写道。读数据的DDR3 SDRAM并edge-aligned传播
数据用闪光灯。
的DDR3 SDRAM从微分时钟(CK和CK #)。CK的穿越
高和CK #低是称为CK的积极优势。控制命令,
注册和地址信号在每个积极CK的边缘。我
MT41K256M8DA-125IT:KMT41K256M8DA-125IT:K

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