IS43TR16128CL-125KBL ISSI（芯成半导体） 原厂原装 SDRAM-DDR3

生产商：ISSI（芯成半导体）

规格型号：IS43TR16128CL-125KBL

英文名称：DDR3 SDRAM

中文名称：三代双倍数据率同步动态随机存储器

存储格式：DRAM

安装类型：表面贴装

封装/外壳：FBGA-96

原厂包装：托盘

零件状态：批量生产

产品用途：汽车电子，台式电脑，服务器，游戏机，物联网设备，便携式电脑，智能电视，网络通信，人工智能，虚拟现实，增强现实，移动通信，工业控制，仪器仪表，安防监控，移动终端。我司供应的产品包含ISSI（芯成半导体）的DRAM,NAND,NOR闪存,嵌入式存储eMMC，eMCP等全系列存储产品。

DDR3

DDR3内存采用8 bit 预取设计，较DDR2 4bit 的预取设计提升一倍，其运算频率介于 800MHz -1600MHz之间。此外，DDR3 的规格要求将电压控制在 1.5V ，较 DDR2 的 1.8V 更为省电，发热量更小。此外，DDR3采用ASR(Automatic self-refresh) 的设计，以确保在数据不遗失情况下，尽量减少更新频率来降低温度。从整体规格上看，DDR3在设计思路上与DDR2的差别并不大，提高传输速率的方法仍然是提高预取位数。但是，就像DDR2和DDR的对比一样，在相同的时钟频率下，DDR2与DDR3的数据带宽是一样的，只不过DDR3的速度提升潜力更大。

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