NT5CC128M16JR-EK NANYA(南亚)DDR3L存储器 

主要参数

型号：NT5CC128M16JR-EK

生产商：NANYA(南亚)

产品类别：第三代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器

系列：-

存储格式：DRAM

存储技术：SDRAM-DDR3L

存储容量：2Gb （128M x 16）

存储接口：并联

SPEED(速度)：

时钟频率：-

写入时间：-

访问时间：-

电压-电源：1.283V ~ 1.45V

工作温度：-40°C ~ 95°C（TC）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：FBGA96

原厂包装：卷带

零件状态：在售

应用领域：汽车电子，台式电脑，服务器，游戏机，物联网设备，便携式电脑，智能电视，网络通信，

               人工智能，虚拟现实，增强现实，移动通信，工业控制，仪器仪表，安防监控，移动终端，

DDR3L SDRAM，第三代低功耗双倍数据率同步动态存储器，是一种电脑存储器规格，  DDR3L内存主要用于一些低功耗设备中比如为了尽量提升笔记本续航，就可以选用这种低电压版DDR3L内存。

DDR3L与DDR3功耗区别

标准的DDR3内存采用1.5V工作电压，而DDR3L内存则采用的是1.35V工作电压。

比如，一根4G DDR3L 1600笔记本内存，要比DDR3节省2W功耗，如果组成双通道将会节省4W功耗，简单来说，DDR3和DDR3L内存区别主要体现功耗和性能这两个方面。

DDR3L与DDR3性能区别

DDR3L内存功耗相比DDR3标准内存低了15%，功耗的降低，自然会造成性能的下降。通过测试，DDR3L内存性能要低于DDR3内存，不过两者差距并不算大。

价格说明

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购买说明

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