IXFN180N15P功率MOSFETN沟道增强模式额定雪崩快速内在二极管

VDSSID25RDS （ ON）trr= 150 V= 150 A≤11 mΩΩ≤200纳秒  

重量测试条件TJ= 25 ℃至175 ℃的TJ= 25 ℃〜175 ℃; řGS= 1 MΩ连续短暂TC= 25° C外部引线电流限制TC= 25 ℃，脉冲宽度限制TJMTC= 25° CTC= 25° CTC= 25° CIS≤IDM， di / dt的≤100 A / μs的，VDD≤VDSS,TJ≤150℃ ，RG= 4ΩTC= 25° C额定值E153432SGSDG =门S =源D =漏任一源极端S能够被用作源端或开尔文源（门返回）端子。安装力矩终端连接力矩（ M4）的50/60赫兹T = 1分IISOL≤1毫安t=1s10秒1.6毫米（ 0.062英寸）-55 ... +175°C175°C-55 ... +150°C1.5 / 13牛米/ lb.in 。1.5 / 13牛米/ lb.in 。2500V~3000V~30030°Cg

特点•环氧树脂封装符合UL 94 V - 0阻燃等级•miniBLOC与氮化铝隔离l快恢复二极管l非钳位感应开关（ UIS）评级l低封装电感- 易于驾驶和保护

企业名：HECC GROUP CO.，LIMITED

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