SI2301CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SOT-23-3(TO-236)
19+
-55°C ~ 150°C(TJ)
860mW(Ta),1.6W(Tc)
表面贴装型
企业名:深圳市宏捷佳电子科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
0755-83201583
手机:13530520535
13717125871
联系人:许小姐(只做全新原装)/李先生(只做全新原装)
微信:
邮箱:471533148@qq.com
地址:广东深圳深圳市福田区华强北街道华强北路上步工业区102栋618室
制造商 Vishay Siliconix
制造商零件编号 SI2301CDS-T1-GE3
描述 MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限)
原厂标准交货期 14 周
详细描述 表面贴装型-P-通道-20V-3.1A(Tc)-860mW(Ta)-1.6W(Tc)-SOT-23-3(TO-236)
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 TrenchFET®
其它名称 SI2301CDS-T1-GE3TR
SI2301CDST1GE3
规格
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.1A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 112 毫欧 @ 2.8A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 10nC @ 4.5V
Vgs(值) ±8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 405pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(值) 860mW(Ta),1.6W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
优势供应:
M51450G
EL7536IYZ
EL7536IYZ-T7
SI2301CDS-T1-GE3
EL7536IYZ(BFAAA)
SN74AHC1G14DBVR
SI2301CDS-T1-GE3
SD1169
SRFE1169
AD620AN
24LC641
MRFA1600
MRA1600-6
MRF1600-2
PH1600-30
MRA1600-2
PH1600-32
PH1600-1.5
MRA1600-30
PH1600-6.5
S08K31
LVC16245A
LVC16244A
UF2010R
TA7201S
MRF136Y
ST9917
ATF10136
SI2301CDS-T1-GE3
M2557BM
PA7674
MGF1601
D1217UK
P9030MB
MRF9030S
MRF9030GR1
MRF9030MR1
MRF9030MBR1
MRF9030GNR1
企业名:深圳市宏捷佳电子科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
0755-83201583
手机:13530520535
13717125871
联系人:许小姐(只做全新原装)/李先生(只做全新原装)
微信:
邮箱:471533148@qq.com
地址:广东深圳深圳市福田区华强北街道华强北路上步工业区102栋618室