描述：Silicon NPN Power Transistors
类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 单路
系列：-
晶体管类型：NPN
电流 - 集电极 (Ic)（）：8A
电压 - 集电极发射极击穿（）：150V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）：500mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（）：100μA
在某 Ic、Vce 时的直流电流增益 (hFE)：20 @ 4A，2V
功率 - ：50W
频率 - 转换：30MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商设备封装：TO-220AB
包装：管件
其它名称：MJE15030OS
标准包装：50

These devices are designed for use as high−frequency drivers in

audio amplifiers.

Features

• High Current Gain − Bandwidth Product

• TO−220 Compact Package

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant*

Collector−Emitter Voltage

MJE15028G, MJE15029G

MJE15030G, MJE15031G

                                   MJE15028, MJE15030 (NPN), MJE15029, MJE15031 (PNP)

企业名：深圳市勤思达科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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