型号：MJE253
品牌：ON
描述：isc Silicon PNP Power Transistor 
制造商：ON Semiconductor
产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性：PNP
集电极—发射极电压 VCEO：100 V
发射极 - 基极电压 VEBO：7 V
直流电集电极电流：4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min：40
配置：Single
工作频率：40 MHz
工作温度：+ 150 C
安装风格：Through Hole
封装 / 箱体：TO-225-3
封装：Bulk
集电极连续电流：4 A
工作温度：- 65 C
功率耗散：15 W
工厂包装数量：500
标准包装：25
封装：TO-92
MJE253描述：

MJE253和MJE243专为低功耗音频放大器和低电流，高速开关应用

MJE243G (NPN),

MJE253G(PNP)

Complementary Silicon

Power Plastic Transistors

These devices are designed for low power audio amplifier and

low−current, high−speed switching applications.

Features

• High Collector−Emitter Sustaining Voltage

• High DC Current Gain

• Low Collector−Emitter Saturation Voltage

• High Current Gain Bandwidth Product

• Annular Construction for Low Leakages

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant*

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