否
发光二*管
否
国产
0805黄绿
磷化铝镓铟AlGaInP
0805 LED (1.0Height) 黄绿
背光 指示灯
原装
企业名:深圳市福田区兴承业电子经营部
类型:经销商
电话: 0755-82954393
联系人:杨宜斌
地址:广东深圳广东省深圳市福田区华强北路华强电子世界
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LED基础知识
半导体发光器件包括半导体发光二*管(简称LED)、数码管、*号管、米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等。事实上,数码管、*号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二*管。
一、半导体发光二*管工作原理、特性及应用
(一)LED发光原理
发光二*管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其*是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向?截止、击穿特性。此外,在*条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光。
假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。除了这种发*合外,还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可见光。发光的复合量相对于非发*合量的比例越大,光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光*在靠近PN结面数μm以内产生。
理论和实践证明,光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关,即λ≈1240/Eg(mm)式中Eg的单位为电子伏特(eV)。若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导体材料的Eg应在3.26~1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二*管,但其中蓝光二*管成本、价格很高,使用不普遍。
(二)LED的特性
1.*限参数的意义
(1)允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的*大值。*,LED发热、损坏。
(2)*大正向直流电流IFm:允许加的*大的正向直流电流。*过此值可损坏二*管。
(3)*大反向电压VRm:所允许加的*大反向电压。*过此值,发光二*管可能被击穿损坏。
(4)工作环境*m:发光二*管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围,发光二*管将不能正常工作,效率大大降低。
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