长期以来，我国的NAND闪存芯片和DRAM内存芯片的需求几乎全部靠进口来解决，市场长期被三星、SK海力士以及美光等存储器巨头所垄断。

数据显示，三星的全球内存市场占有率为46%，闪存市场占有率为39%。SK海力士的全球内存市场占有率为29%，闪存市场占有率为15%。仅这两家企业，就占据了全球75%的内存市场以及闪存市场的半壁江山。如果再加上美光的市场份额，这三家企业的全球内存市场份额之和达到了95%。

毫无疑问，现在存储市场话语权仍被这几家外国企业控制。但在国家政策支持、大量资金投入后，国内存储企业取得了不小的突破。2018年下半年，以NAND闪存为主的长江存储、以DRAM为主合肥长鑫和福建晋华都会开始试产，并于2019年开始量产，虽然短时间内尚未形成较大规模，但未来几年势必会对垄断的存储器市场带来一定的影响，这几年的空档期内将是DRAM市场上的红利期。

对于中国大陆企业的进入，韩国、中国台湾地区等存储器企业表现出了自己的担忧，并且已经开始采取行动。在中国企业竞争力尚未形成规模之前，韩、台等存储器厂商已经正在大规模的扩产DRAM，以期在的红利期抢占更多的市场，获得更多的利润。

韩厂商在DRAM上动作不断

去年的这个时候，正是存储芯片涨价涨得欢的时候，市场缺货引发了价格的不断飙升。三星为了巩固自己在存储芯片的统治地位，于2017年7月宣布至少投资约186.3亿美元用于生产线的建设。

当时这笔资金主要用于平泽市的NAND闪存工厂建设，但随着NAND闪存供应能够满足市场需求后，三星已经将平泽厂二楼原定兴建NAND的产线，部分转往生产DRAM，而且三星原有的Line17还有部分空间可以扩产，也已经使用起来。至此，三星在DRAM的产能上已经从2017年的390K上升到了500K的水平。

而近日，三星(中国)半导体存储芯片二期项目也于西安正式开工了，这是继2012年第一期100亿美元投资之后，三星再重注压在中国。

长期第二的SK海力士近有被美光赶超的趋势，但丝毫不影响SK海力士着手DRAM产业的布局。

和三星一样，从2017年开始，SK海力士就将M14工厂二楼的部分NAND闪存芯片产线转换为生产DRAM，目前转换还在进行当中，若搭配扩增的后段制程产线，产能将会进一步提升。

2017年年底，SK海力士在重庆的工厂追加投资，增设后段制程产线。

近期在韩国将利川厂区内的旧 LCD 产线转换为半导体封装及测试用途，同时也会将现有的部分后段制程产线移转至此，并添购机台设备进行扩产。

除了这些，SK海力士还在中国无锡工厂投资36亿美元建设新的内存工厂，看来这是要将产能扩张到。

韩国厂商这些对DRAM扩产的动作，除了是解决市场供给吃紧的现状，更有压低内存价格上涨的意思。不得不说这些韩厂的心机较重，在中国竞争者即将进入之际，通过压低DRAM或是NAND的价格，可以提高进入的门槛，让竞争对手的压力骤增、亏损扩大，进而达到减缓竞争对手发展速度的目的。

Categories Integrated Circuits (ICs)

Memory - Configuration Proms for FPGAs

Manufacturer Xilinx Inc.

Series -

Packaging ? Tray ?

Part Status Active

Programmable Type In System Programmable

Memory Size 8Mb

Voltage - Supply 1.65 V ~ 2 V

Operating Temperature -40°C ~ 85°C

Package / Case 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Supplier Device Package 48-TSOP

Base Part Number XCF*P

企业名：深圳市英特瑞斯电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

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