FGH60T65SHD-F155
ON（安森美）
集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V
栅极/发射极最大电压:- 20 V, 20 V
最大工作温度:+ 175 C
企业名：深圳市赛奥斯科技有限公司
类型：贸易/代理/分销
电话：
0755-83245423
0755-83011065
手机：15673540295
15889752608
联系人：李先生/李小姐
QQ： 
微信：
邮箱：15673540295@163.com
地址：广东深圳深圳市福田区华强北上步工业区101栋518室
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.6 V
栅极/发射极电压: - 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流: 120 A
Pd-功率耗散: 349 W
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 175 C
系列: FGH60T65SHD
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 30
子类别: IGBTs
零件号别名: FGH60T65SHD_F155
单位重量: 6.390 g
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.6 V
栅极/发射极电压: - 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流: 120 A
Pd-功率耗散: 349 W
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 175 C
系列: FGH60T65SHD
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 30
子类别: IGBTs
零件号别名: FGH60T65SHD_F155
单位重量: 6.390 g
FGH60T65SHD-F155 FGH60T65SHD-F155 FGH60T65SHD-F155 FGH60T65SHD-F155
深圳市赛奥斯科技有限公司是一家极具实力zhuan业从事IC集成电路，电子元器件的代理分销机构。不但拥有大量的现货库存和良好的价格。在亚洲、欧美有着良好的供货渠道，并且有固定的OEM客户关系。公司创建至今，全体团队与时俱进，努力完善公司的he心价值观，建立强大的销售平台，实施公司的he心文化（诚信、共同发展、开拓创新）。与美国、欧盟、韩国、日本、等诸多IC品牌代理商建立稳定的作关系,并合赢得各界的信赖与支持。为建立quan球性的贸易平台,成为zhu名的 IC 独立分销商奠定了磐石般的基础。为您提供优质的售后服务。主营范围：ic公司经营的主要优势品牌有：AD、MAXIM、NXP、TI、ST、ATMEL、IR等。并兼营各系列二、三极管、电容电阻、模块、开关，继电器及其它电子元件,提供的配单服务，可为您寻找＊＊级、工业级、偏冷门、已停产的各系列IC器件。产品的应用领域涉及：IT、通信、遥控、控制系统、汽车、机械、仪表、家电控制、军用、航空、和卫星等行业。
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手机：15673540295
15889752608
联系人：李先生/李小姐
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邮箱：15673540295@163.com
地址：广东深圳深圳市福田区华强北上步工业区101栋518室
