CMPA801A025F

型号/规格：
CMPA801A025F
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CREE

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集成电路(IC)(1)
∟ 其他IC(1)
二极管(2)
∟ 开关二极管(1)∟ 高频二极管(1)
场效应管MOSFET(1)
∟ IGBT模块(1)
电容器(1)
∟ 纸膜复合电容(纸介)电容(1)
电阻器(1)
∟ 精密电阻(1)
电源/稳压器(4)
∟ 恒流电源(1)∟ 直流稳压电源(2)∟ 通信电源(1)
微调电位器(1)
∟ 精密微调/预调电位器(1)
连接器/接插件(14)
∟ 圆形连接器(7)∟ 矩形/重载连接器(1)∟ PCB连接器(1)∟ 汽车连接器(1)∟ 高速信号连接器(3)∟ 接线柱(头)(1)
开关(4)
∟ 轻触开关(1)∟ 拨动/滑动开关(1)∟ 压力开关(1)∟ 扣押开关(1)
传感器(11)
∟ 电磁传感器(3)∟ 温(湿)度传感器(3)∟ 压力传感器(2)∟ 风速/风向/风量传感器(1)∟ 纳米传感器(1)∟ 其他传感器(1)
普通电池/蓄电池/动力电池(2)
∟ 铅酸电池(2)
变压器(1)
∟ CVT/恒压变压器(1)
变频器(4)
∟ 恒功率变频器(1)∟ 专用变频器(3)
放大器(9)
印刷线路板(2)
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光电子/光纤/激光(2)
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PLC/可编程控制器(2)
∟ 模块式PLC(2)
安防监控器材(1)
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电子测量仪器(4)
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其他未分类(3)

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商品信息

CMPA801B025F

25-W, 8.0 – 11.0-GHz, GaN MMIC Power Amplifier

Cree’s CMPA801B025F is a gallium-nitride (GaN) HEMT-based monolithic microwave integrated circuit (MMIC). GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity and higher thermal conductivity. GaN HEMTs also offer greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. This MMIC is available in a 10-lead metal/ceramic flanged package for optimal electrical and thermal performance

Features: