零件编号 SVD5865NLT4GOSTR-ND

制造商

ON Semiconductor

制造商零件编号

SVD5865NLT4G

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta），46A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 29nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1400pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（值） 3.1W（Ta），71W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 16 毫欧 @ 19A，10V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 DPAK

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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典型智能可穿戴设备

典型智能可穿戴设备包括哪些功能 人们可能会把这种设备看成微型嵌入式系统。显然，准确分区取决于设备自身，不过，一般而言，智能可穿戴设备的核心架构由以下各部分组成：

·一个微处理器或微控制器或类似的 IC

·某些种类的微型机电传感器 (MEMS)

·小型机械致动器

·全球定位系统 (GPS) IC

·蓝牙 / 蜂窝 / Wi-Fi 连接，以收集 / 处理和同步数据

·成像电子组件，LED

·计算资源

·可充电或主 (非可充电) 电池或电池组

·支持性电子组件

可穿戴产品的主要设计目标通常是实现紧凑的外形尺寸、轻重量以实现可穿戴性 / 舒适性、以及超低的能耗以延长电池运行时间 / 寿命。不过，用的电流、高效率、准确地给这类设备供电并不那么简单。与智能可穿戴设备供电有关的一些关键问题如下：

1)在电池供电设备中，电源管理 IC 能否消耗很小的电流对延长运行时间至关重要。微功率或毫微功率转换 IC 是必要的。

2)MEMS 传感器要求用噪声很低的稳定电源供电。繁忙的致动器也可以受益。LDO 或低纹波开关稳压器非常适合这种轨，因为这些稳压器具很低的输出噪声。

3)蓝牙 / RF / Wi-Fi / 蜂窝连接系统轨也要求低噪声。低压差稳压器或 (因为输出电流可能很大) LDO 后稳压开关稳压器或低纹波开关稳压器都是极好的选择。

4)处理器 (可穿戴设备的“大脑”) 电源。从 ARM Cortex MCU、DSP、GPS 芯片到 FPGA，都需要各种低压轨，以全方位涵盖各种大小的电流。这些组件可以由 LDO 或开关稳压器供电。

5)不是所有可穿戴设备都由可充电电池供电，有些也许使用主 (非可充电) 电池，而这类电池需要在两次更换之间提供较长的运行时间，因此，找到估计电池运行时间的方法是关键。

6)紧凑的尺寸和很轻的重量使可穿戴设备更舒适易用。采用紧凑型封装的 IC 可构成占板面积很小的解决方案，从而使设备既能够具有小的外形尺寸、重量又很轻。

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