检查提前期

制造商

Infineon Technologies

制造商零件编号

IPB60R125CPATMA1

描述 MOSFET N-CH 600V 25A TO263

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述 表面贴装 N

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 CoolMOS™

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 不適用於新設計

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 25A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3.5V @ 1.1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 70nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 2500pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散（值） 208W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 125 毫欧 @ 16A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PG-TO263-3-2

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 沟道 600V 25A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263-3-2

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