分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A（Tc）
驱动电压（  Rds On，  Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻 
3 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th) 
4V @ 150μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg) 
170 nC @ 10 V
Vgs 
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss) 
6540 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散 
300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IRFB3206

企业名：深圳市科祥威电子科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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