制造商: Infineon

产品种类: 二极管 - 通用，功率，开关  

产品: Switching Diodes

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247-3

峰值反向电压: 600 V

浪涌电流: 240 A

If - 正向电流: 50 A

恢复时间: 192 ns

Vf - 正向电压: 1.65 V

Ir - 反向电流 : 1650 uA

工作温度: - 40 C

工作温度: + 175 C

封装: Tube

商标: Infineon Technologies  

Pd-功率耗散: 187 W  

产品类型: Diodes - General Purpose, Power, Switching  

工厂包装数量: 240  

子类别: Diodes & Rectifiers  

零件号别名: IDW50E60FKSA1 IDW5E6XK SP000919402  

单位重量: 6 g

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上;

IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见;

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