制造商: ROHM Semiconductor

产品种类: 肖特基二极管与整流器

产品: Schottky Silicon Carbide Diodes

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263AB-4

If - 正向电流: 6 A

Vrrm - 重复反向电压: 650 V

Ifsm - 正向浪涌电流: 24 A

配置: Dual Common Cathode

技术: SiC

Ir - 反向电流 : 120 uA

工作温度: - 55 C

工作温度: + 175 C

系列: SCS2x

工作温度范围: - 55 C to + 175 C  

商标: ROHM Semiconductor  

Pd-功率耗散: 48 W  

产品类型: Schottky Diodes & Rectifiers  

工厂包装数量: 1000  

子类别: Diodes & Rectifiers  

零件号别名: SCS206AJ  

单位重量: 2 g

肖特基二极管分为有引线和表面安装(贴片式)两种封装形式。 采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管(双二极管)式两种封装形式。肖特基对管又有共阴(两管的负极相连)、共阳(两管的正极相连)和串联(一只二极管的正极接另一只二极管的负极)三种管脚引出方式。

采用表面封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式，有A~19种管脚引出方式

典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(SiO2)来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极)时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小;反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。

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