制造商: Toshiba

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-3P-3

晶体管极性: NPN

配置: Single

集电极—发射极电压 VCEO: 230 V

集电极—基极电压 VCBO: 230 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V

集电极—射极饱和电压: 0.4 V

直流电集电极电流: 15 A

增益带宽产品fT: 30 MHz

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

系列: 2SC5242

直流电流增益 hFE 值: 160  

高度: 4.8 mm  

长度: 20 mm  

宽度: 15.9 mm  

商标: Toshiba  

集电极连续电流: 15 A  

CNHTS: 8541210000  

直流集电极/Base Gain hfe Min: 80  

HTS Code: 8541210095  

MXHTS: 85412101  

Pd-功率耗散: 130 W  

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors  

工厂包装数量: 50  

子类别: Transistors  

TARIC: 8541210000  

单位重量: 7 g

双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor-BJT)又称为半导体三极管，它是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件，有PNP和NPN两种组合结构。

双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又称为半导体三极管，它是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件，有PNP和NPN两种组合结构；外部引出三个极：集电极，发射极和基极，集电极从集电区引出，发射极从发射区引出，基极从基区引出（基区在中间）；BJT有放大作用，重要依靠它的发射极电流能够通过基区传输到达集电区而实现的，为了保证这一传输过程，一方面要满足内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小，另一方面要满足外部条件，即发射结要正向偏置（加正向电压）、集电结要反偏置。

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