制造商: STMicroelectronics

产品种类: 电可擦除可编程只读存储器

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-8

存储容量: 64 kbit

组织: 8 k x 8

接口类型: Serial, 2-Wire, I2C

访问时间: 900 ns

数据保留: 40 Year

时钟频率: 0.4 MHz

电源电流—值: 0.8 mA

电源电压-: 1.8 V

电源电压-: 5.5 V

工作温度: - 40 C

工作温度: + 85 C

系列: M24C64-R

高度: 1.65 mm (Max)  

长度: 5 mm (Max)  

宽度: 4 mm (Max)  

商标: STMicroelectronics  

工作电源电流: 3 mA  

工作电源电压: 2.5 V, 3.3 V, 5 V  

产品类型: EEPROM  

编程电压: 1.8 V to 5.5 V  

工厂包装数量: 2500  

子类别: Memory & Data Storage  

单位重量: 143 mg

可擦除可编程只读存储器(英语:Erasable Programmable Read Only Memory)，由以色列工程师Dov Frohman发明，是一种断电后仍能保留数据的计算机存储芯片--即非易失性的(非易失性)。它是一组浮栅晶体管，被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分别编程。一旦编程完成后，EPROM只能用强紫外线照射来擦除。通过封装顶部能看见硅片的透明窗口，很容易识别EPROM，这个窗口同时用来进行紫外线擦除。

一片编程后的EPROM，可以保持其数据大约10~20年，并能无限次读取。擦除窗口必须保持覆盖，以防偶然被阳光擦除。老式计算机的BIOS芯片，一般是EPROM，擦除窗口往往被印有BIOS发行商名称、版本和版权声明的标签所覆盖。

一些在闪存出现前生产的微控制器，具有使用EPROM来存储程序的版本，以利于程序开发;因为，如使用性可编程器件，在调试时将造成严重浪费。

图示出叠栅注入MOS管的结构。在浮置栅Gf没有充电时，加到控制栅Gc上的正常逻辑高电平能使MOS管导通;在浮置栅上充有负电荷以后，在控制栅上加正常的逻辑高电平，MOS管不导通，相当于没有接入这个存储元件。编程时在漏极与源极间加以高电压，使之产生雪崩击穿，同时在控制栅上加高压脉冲，则一些能量较大的电子便穿过SiO2层到达浮置栅，形成充电电荷。

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