制造商: ISSI

产品种类: 动态随机存取存储器 

类型: SDRAM

数据总线宽度: 16 bit

组织: 4 M x 16

封装 / 箱体: BGA-60

存储容量: 64 Mbit

时钟频率: 143 MHz

访问时间: 5.4 ns

电源电压-: 3.6 V

电源电压-: 3 V

电源电流—值: 90 mA

工作温度: - 40 C

工作温度: + 85 C

系列: IS42S16400J

封装: Tray

商标: ISSI  

安装风格: SMD/SMT  

工作电源电压: 3.3 V  

产品类型: DRAM  

工厂包装数量: 286  

子类别: Memory & Data Storage  

单位重量: 103 mg

5.1 六管静态存储单元

T1~T4构成一个基本RS触发器，用来存储1位二值数据。T5与T6为本单元控制门，由行选择线Xi控制。Xi=1使T5T 6导通，触发器与位线接通；Xi =0，T5T6截止，触发器与位线隔离。T7T8为一列存储单元公用控制门，用于控制位线与数据线的连接状态，由列选择线Yj控制。显然，Xi=Yj=1时，T5~T8都导通，触发器的输出才与数据线接通，该单元才能通过数据线传送数据。因此，存储单元能够进行读/写操作的条件：Xi=Yj=1。

静态RAM的特点是，数据由触发器记忆，只要不断电，数据就能保存。

（2）动态RAM存储单元

静态RAM存储单元缺点：使用管子多，功耗大，集成度受到限制。

动态RAM存储数据的原理是基于MOS管栅极电容的电荷存储效应。由于漏电流的存在，电容上存储的数据（电荷）不能长久保存，因此必须定期给电容补充电荷，以避免存储数据的丢失，这种操作称为再生或刷新。常见的动态RAM存储单元有三管和单管两种。

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