同步降压转换器特性
5962R10221：
抗辐射加固保障（RHA）高达100kRAD（Si）的总电离剂量（TID）
无低剂量率辐射损伤增强（ELDRS）100 kRAD（Si） - 10mRAD（Si）/s
单粒子锁定（SEL）对于
线性能量传输（LET）的抗扰度= 85MeV-cm 2 /mg
单粒子烧毁（SEB）和单粒子栅穿（SEGR）的抗扰度为85MeV-cm 2 /mg，提供安全运行区域（SOA）曲线（请参见）
提供单粒子瞬变/单粒子功能中断（SET /SEFI）
峰值效率：95％（V O = 3.3V）
集成了55mΩ/50mΩ金属氧化物半导体场效应应晶体管（MOSFET）
分离电源轨：PVIN上的电压为1.6V至6.3V
电源轨：VIN上的电压为3V至6.3V
6A输出电流
灵活的开关频率选项：（同步降压转换器）
100kHz至1MHz可调内部振荡器
外部同步功能的频率范围： 100 kHz至1MHz
可针对主/从设备将同步引脚配置为500kHz输出应用
25°C下的电压基准为0.795V ±1.258％
单调启动至预偏置输出
通过外部电容进行调节的软启动
用于电源排序的输入使能和电源正常输出
针对欠压及过压的电源良好输出监控
可调节输入欠压锁定（UVLO）
20引脚耐热增强型陶瓷扁平封装（HKH）
TPS50601-SP  同步降压转换器是一款抗辐射加固型6.3V，6A同步降压转换器。该器件通过高效率以及集成高侧和低侧MOSFET的方式针对小型设计进行了优化。通过电流模式控制减少组件数量，并通过高开关频率缩小电感器封装尺寸，来进一步节省空间。此器件提供耐热增强型20引脚陶瓷，双列直插扁平封装。


这些部件仅用于工程评估。以非合规性流程对其进行了处理（即未进行老化处理等操作）并且仅在25°C的额定温度下进行了测试。部件不适用于质检，生产，辐射测试或飞行。这些零部件无法在-55°C至125°C的完整MIL额定温度范围内或运行寿命中保证其性能。要了解所有可用封装，请参见已知的合格芯片采用叠片封装的裸片
输出电压启动斜坡由SS /TR引脚控制，可实现独立电源运行，或者跟踪状态下的运行。此外，正确配置启用与开漏电源正常引脚也可实现电源排序。


高侧FET的逐周期电流限制可在过载情况下保护器件，并通过低侧电源限流防止电流失控，从而实现功能增强。此外，还提供可关闭低侧MOSFET的低侧吸收电流限值，以防止过多的反向电流。当芯片温度超过热关断温度时，热关断禁用此部件。

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