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STF11NM80 STF11NM STM MOS管 800V

供应 STF11NM80 STF11NM STM MOS管 800V
供应 STF11NM80 STF11NM STM MOS管 800V
  • 型号/规格:

    STF11NM80

  • 品牌/商标:

    STM

  • 封装:

    TO220F

  • 批号:

    15+

  • 击穿电压:

    800V

  • 电流:

    11A

  • 功率:

    35W

  • 电阻:

    400mohm

  • 电压:

    30V

  • 温度:

    65

金牌会员 第 12
  • 企业名:斯耐尔(深圳)科技有限责任公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 18681503129

    手机:18681503129

    联系人:李昱

    QQ: QQ:314081785

    邮箱:szsnares@163.com

    地址:广东深圳深圳市福田区华富路1046号华康大厦2栋408

产品分类
商品信息

这些N通道功率MOSFET是利用STMicroelectronics的革命性MDMESH™技术开发的,该技术将多重漏极工艺与公司的PowerMesh™水平布局相关联。这些器件具有极低的导通电阻、高的dv/dt和优良的雪崩特性。这些功率MOSFET采用了ST专有的带状技术,具有整体动态性能,优于市场上同类产品。

规格

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: STMicroelectronics 

产品种类: MOSFET 

型号:STF11NM80

RoHS:  详细信息  
技术: Si 
安装风格: Through Hole 
封装 / 箱体: TO-220-3 
通道数量: 1 Channel 
晶体管极性: N-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 800 V 
Id-连续漏极电流: 11 A 
Rds On-漏源导通电阻: 400 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V 
工作温度: - 65 C 
工作温度: + 150 C 
Pd-功率耗散: 35 W 
配置: Single 
通道模式: Enhancement 
商标名: MDmesh 
封装: Tube 
高度: 9.3 mm  
长度: 10.4 mm  
系列: STF11NM80  
晶体管类型: 1 N-Channel  
类型: MOSFET  
宽度: 4.6 mm  
商标: STMicroelectronics  
正向跨导 - 值: 8 S  
下降时间: 15 ns  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 17 ns  
工厂包装数量: 50  
子类别: MOSFETs  
典型关闭延迟时间: 46 ns  
典型接通延迟时间: 22 ns  
单位重量: 2.040 g

联系方式

企业名:斯耐尔(深圳)科技有限责任公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 18681503129

手机:18681503129

联系人:李昱

QQ: QQ:314081785

邮箱:szsnares@163.com

地址:广东深圳深圳市福田区华富路1046号华康大厦2栋408

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