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FQD3N60CTM MOSFET 600V

FQD3N60CTM  MOSFET 600V
FQD3N60CTM  MOSFET 600V
  • 品牌:

    ON Semiconductor

  • 型号:

    FQD3N60CTM

  • 封装:

    TO263

  • 批号:

    17+

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 集射极击穿电压(VCEO):

    600

  • 集电极电流(Icm):

    2.4

  • 电流放大系数(hFE):

    6

  • 特征频率:

    300

  • 耗散功率:

    50

  • 工作温度范围:

    -50~150

  • 安装类型:

    SMD

金牌会员 第 12
  • 企业名:斯耐尔(深圳)科技有限责任公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 18681503129

    手机:18681503129

    联系人:李昱

    QQ: QQ:314081785

    邮箱:szsnares@163.com

    地址:广东深圳深圳市福田区华富路1046号华康大厦2栋408

产品分类
商品信息

规格

产品属性 属性值 搜索类似

制造商: ON Semiconductor 

    产品种类: MOSFET 

RoHS:  详细信息  

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: TO-252-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 600 V 

Id-连续漏极电流: 2.4 A 

Rds On-漏源导通电阻: 3.4 Ohms 

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V 

Qg-栅极电荷: 10.5 nC 

工作温度: - 55 C 

工作温度: + 150 C 

Pd-功率耗散: 50 W 

配置: Single 

通道模式: Enhancement 

商标名: QFET 

封装: Cut Tape 

 

封装: Reel 

高度: 2.39 mm 

长度: 6.73 mm  

系列: FQD3N60CTM_WS  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 6.22 mm  

商标: ON Semiconductor / Fairchild  

下降时间: 35 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 30 ns  

工厂包装数量: 2500  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 35 ns  

典型接通延迟时间: 12 ns  

零件号别名: FQD3N60CTM_WS  

单位重量: 260.370 mg

购买须知

联系方式

企业名:斯耐尔(深圳)科技有限责任公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 18681503129

手机:18681503129

联系人:李昱

QQ: QQ:314081785

邮箱:szsnares@163.com

地址:广东深圳深圳市福田区华富路1046号华康大厦2栋408

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