产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 3.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 180 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 5.7 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 2.1 W
通道模式: Enhancement
系列: ZXMN6A111
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
配置: Dual
下降时间: 4.6 ns
高度: 1.5 mm
长度: 5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 3.5 ns
500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 8.2 ns
典型接通延迟时间: 1.95 ns
宽度: 4 mm
单位重量: 750 mg

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