Samsung/三星
贴片电容1206
陶瓷(瓷介)
低压
长方形
小功率
低频
微调
同向引出线
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50(V)
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∟ 贴片/片式/SMD二极管(1)
电容器在电路中的作用
在直流电路中,电容器是相当于断路的。 电容器是一种能够储藏电荷的元件,也是*常用的电子元件之一。
这得从电容器的结构上说起。*简单的电容器是由两端的*板和中间的*缘电介质(包括空气)[1]构成的。通电后,*板带电,形成电压(电势差),但是由于中间的*缘物质,所以整个电容器是不导电的。不过,这样的情况是在没有*过电容器的临界电压(击穿电压)的前提条件下的。我们知道,任何物质都是相对*缘的,当物质两端的电压*到*程度后,物质是都可以导电的,我们称这个电压叫击穿电压。电容也不例外,电容被击穿后,就不是*缘体了。不过在中学阶段,这样的电压在电路中是见不到的,所以都是在击穿电压以下工作的,可以被当做*缘体看。
陶制电容器
但是,在交流电路中,因为电流的方向是*间成*的函数关系变化的。而 电 容器充放电的过程是有时间的, 这个时候,在*板间形成变化的电场,而这个电场也是*间变化的函数。实际上,电流是通过场的形式在电容器间通过的。
在中学阶段,有句话,就叫通交流,阻直流,说的就是电容的这个性质。
电容的作用:
1)旁路
旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件,它能使稳压器的输出均匀化,降低负载需求。 就像小型可充电电池一样,旁路电容能够被充电,并向器件进行放电。为尽量减少阻*,旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。 这能够很好地*输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地电位是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。
2)去藕
去藕,又称解藕。 从电路来说, 总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大, 驱动电路要把电容充电、放电, 才能完成信号的跳变,在上升沿比较陡峭的时候,电流比较大, 这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流,由于电路中的电感,电阻(*是芯片管脚上的电感,会产生*),这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声,会影响前级的正常工作,这就是所谓的“耦合”。
去藕电容就是起到一个“电池”的作用,满足驱动电路电流的变化,避免相互间的耦合干扰。
将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去藕合的,只是旁路电容一般是指高频旁路,也就是给高频的开关噪声*一条低阻*泄*途径。高频旁路电容一般比较小,根据谐振频率一般取0.1μF、0.01μF 等;而去耦合电容的容量一般较大,可能是10μF 或者更大,依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象,而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象,*干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。
3)滤波
从理论上(即假设电容为纯电容)说,电容越大,阻*越小,通过的频率也越高。但实际上*过1μF 的电容大多为电解电容,有很大的电感成份,所以频率高后反而阻*会*。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容,这时大电容通低频,小电容通高频。电容的作用就是通高阻低,通高频阻低频。电容越大低频越容易通过。具体用在滤波中,大电容(1000μF)滤低频,小电容(20pF)滤高频。曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变,由此可知,信号频率越高则衰减越大,可很形象的说电容像个水塘,不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化,频率越高,峰值电流就越大,从而缓冲了电压。滤波就是充电,放电的过程。
4)储能
储能型电容器通过整流器收集电荷,并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40~450VDC、电容值在220~150 000μF 之间的铝电解电容器(如EPCOS 公司的 B43504 或B43505)是较为常用的。根据不同的电源要求,器件有时会采用串联、并联或其组合的形式,对于功率级*过10KW 的电源,通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器
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