FMV11N60E 11N60E原装富士场效应管

品牌/商标：
FUJI/富士通
型号/规格：
FMV11N60E 11N60E
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型
用途：
NF/音频(低频)
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
GE-N-FET锗N沟道
开启电压：
600（V）
夹断电压：
11A（V）
跨导：
3（μS）
*间电容：
3720（pF）

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企业名：结型场效应管林锦基

类型：经销商

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联系人：林锦基

地址：广东深圳中国广东深圳市福田区华强电子世界三店佳和大厦1A061

产品分类

场效应管MOSFET(142)
∟ 结型场效应管(107)

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商品信息

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