LCC封装905nm硅雪崩光电二极管

型号：AA-S0411L0X00LCC3-XXX-B

 特征及应用:

Ø 高速响应、高增益、低结电容、低噪声

Ø 正照平面型芯片结构

Ø 230μm、500μm光敏面可选

Ø 陶瓷贴片封装

Ø 内置滤波片（905nm窄带）和白玻窗可选

Ø 激光测距、激光告警、激光雷达等应用

2 额定值参数名称符号值值单位工作温度TOP-2085℃储存温度Tstg-55125℃工作电压Vop 0.95×VBRV焊接温度Stemp 260℃耗散功率  1mW正向电流  1mA2 光电性能（@Tc=22±3℃）特性参数符号测试条件典型单位光谱响应范围λ—400～1100nm光敏面直径φ—200（1）、500（2）μm响应度Reλ=905nm，φe=1μW, M=1005055 A/W响应时间tSf=1MHz,RL=50Ω,λ=905nm 0.6 ns暗电流IDM=1000.05（1）0.2（1）1.0（1）nA0.1（2）0.4（2）1.0（2）总电容CtotM=100,f=1MHz 1（1） pF 1.2（2） 适宜的放大倍数M  100  反向击穿电压VBRIR=10uA 80 200 V工作电压温度系数δTc=-40℃～85℃ 0.9（1）1.3（1）V/℃ 0.9（2）1.3（2）

注： （1）为光敏面φ230μm器件之参数

（2）为光敏面φ500μm器件之参数

2 等效电路及应用电路

图1 等效电路图Figure1 Equivalent Circuit Diagram图2 使用示意图

Figure2 optical Drawing

注：C1－滤波电容，主要滤除偏置工作电压VR的噪声；

   C2－旁路电容，主要是为交流信号提供对地回路；

   R1－限流电阻，主要保护偏置工作电压VR过高时，损坏探测器；

   Ri－取样电阻，将光电流转化为电压信号。

2 典型特性曲线

图3 0V光谱响应曲线

Figure3 Responsivity vs.Wavelength at 0v

图4 倍增曲线

Figure4 Gain vs.UR/UBR

图5 暗电流vs工作电压

Figure5 Dark Current vs. UR/UBR

图6 电容vs工作电压

Figure6  Capacitance vs. Operating voltage

图7 暗电流vs工作电压

Figure7 Dark current vs. Operating voltage

图8 放大倍数vs反向电压

Figure8  Gain vs. Reverse Votage

2 定购信息：

AA-S0411L0X00LCC3-XXX-B

01：反向击穿电压80V~120V

02：反向击穿电压120V~160V

03：反向击穿电压160V~200V

0：无滤光片（白波窗）

1：635nm中心波长滤光片

2：905nm中心波长滤光片

5：500μm光敏面

2：230μm光敏面

2 封装外形、尺寸及引脚定义

2 注意事项：

a.  静电对器件有极大伤害，使用中要保证人体、测试仪表、检验装置及工作台接地良好。

b.  电源需有稳压装置，且不可在开关电源过程中产生冲击电压损害器件。

c.  焊接时烙铁应接地良好，温度控制在260℃±5℃，时间不超过5秒。

d.  测试正向电压时要监控正向电流，不超过1000μA，否则会击穿器件而失效。

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