描述	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
RoHS	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
数据列表	IPB025N10N3 G
标准包装	1,000
类别	分离式半导体产品
家庭	FET - 单
系列	OptiMOS™
FET 型	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点	逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)	100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C	180A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C	2.5 毫欧 @ 100A，10V
Id 时的 Vgs(th)（）	3.5V @ 275μA
闸电荷(Qg) @ Vgs	206nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds	14800pF @ 50V
功率 -	300W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片），TO-263CB
供应商设备封装	PG-TO263-7
包装	带卷 (TR)
其它名称	IPB025N10N3 G-NDIPB025N10N3 GTRSP

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