射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6GHz 28V 6W Gain 11.8dB GaN HEMT

制造商: Cree, Inc. 
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 
RoHS: 符合RoHS 详细信息 
晶体管类型: HEMT 
技术: GaN SiC 
增益: 13 dB 
晶体管极性: N-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 120 V 
Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V to + 2 V 
Id-连续漏极电流: 0.75 A 
输出功率: 6.9 W 
漏极/栅极电压: - 
工作温度: + 150 C 
Pd-功率耗散: - 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: QFN-6 
封装: Reel 
应用: - 
商标: Wolfspeed / Cree 
类: - 
配置: Single 
开发套件: CGH40006S-KIT 
正向跨导 - 值: - 
闸/源截止电压: - 
工作温度: - 40 C 
NF—噪声系数: - 
工作频率: 2 GHz to 6 GHz 
工作温度范围: - 
P1dB - 压缩点: - 
Rds On-漏源导通电阻: - 
工厂包装数量: 200 
Vgs th-栅源极阈值电压: - 3 V

企业名：深圳市宏南科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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