IAM
FBY
铟镓砷
100*85*20
企业名：深圳市飞博源光电技术有限公司
类型：生产企业
电话： 0755-26418525
手机：13613098632
联系人：魏＇R
QQ： 
地址：广东深圳深圳市南山区南海大道山东大厦B座2303
InGaAs雪崩光电二极管
特点：
高速
平面正照型
TO-Can封装或带尾纤输出
可用增益达到20
应用：
光通讯接收设备
CATV接收机
OTDR
光电特性(T = 22℃)：
| 参 数 | 符号 | 测试条件 | 值 | 典型值 | 值 |
| 光谱响应范围（nm） | λ | 1000 | 1700 | ||
| 光敏面直径(um) | φ50 | ||||
| 响应度(A/W) | Re | λ=1.55um,M=10,φ=1uw | 8 | 8.5 | |
| 击穿电压(V) | VBR | ID=100uA, φ=0 | 30 | 60 | |
| 击穿电压温度系数(V/℃) | δ | TC=-40~+85℃ | 0.1 | 0.15 | |
| 暗电流(nA) | ID | M=10, φ=0 | 1 | 10 | |
| 总电容(pF) | Ctot | M=10, φ=0,f=1MHz | 0.6 | 1 | |
| 响应时间(ns) | fT | M=10, φ=0, λ=1.55um | 0.15 | 0.3 | 0.5 |
| 可用增益 | Mmax | VR=0.98VBR | 20 | ||
| 推荐工作电压(*Vbr) | VR | M=10, φ=1, λ=1.55um | 0.9 | 0.95 | |
note:图片仅供参考,尺寸以实物为准,具体性能指标见每支器件参数
InGaAs光电探测器模块
InGaAs 光电探测器模块集成了InGaAs 雪崩光电探测器、探测器驱动、信号检测放大、信号放大整形输出等部分,可应用于连续或者脉冲光信号的检测、放大整形及温度传感等领域。输出高稳定电压信号给用户,免去客户在使用雪崩光电探测器时的弱信号处理环节。电路久经考验,使用方便。全金属外壳可防止电磁辐射。电路适用范围宽，可驱动各种型号的InGaAs APD。也可根据客户需求进行定制。
特 点
|
·高响应度，高灵敏度 |
·低噪音 |
|
·高性能，低价格 |
·金属外壳，防电磁辐射 |
|
·5V电压输入 |
·使用方便 |
性能指标
|
参数 |
|
典型 |
|
单位 |
|||
|
APD响应波长范围 |
900 |
1550 |
1700 |
nm |
|||
|
APD响应度 |
7 |
8.5 |
10 |
uA/uW |
|||
|
APD响应光敏面* |
50 |
80 |
200 |
um |
|||
|
APD驱动电压** |
38 |
- |
65 |
V |
|||
|
输入工作电压 |
4.5 |
5 |
5.5 |
V（DC） |
|||
|
工作温度 |
0 |
- |
50 |
℃ |
|||
|
储藏温度 |
-20 |
- |
70 |
℃ |
|||
|
输入光功率*** |
-60 |
-40 |
- |
dBm |
|||
|
输入饱和光功率**** |
- |
1 |
5 |
mW |
|||
|
输出饱和电压 |
- |
- |
3.8 |
V |
|||
|
带宽 |
DC-1 |
DC-10 |
DC-50 |
DC-100 |
DC-200 |
DC-1000 |
MHz |
|
噪音密度 |
10000 |
500 |
80 |
nV/rt.Hz |
|||
|
输入光接口 |
1：FC/APC 2：FC/PC可选 |
||||||
|
输出接口 |
1：SMA 2：BNC可选 |
||||||
|
光纤类型 |
1:SMF-28e+ 2:MM62.5 3:MM50 可选 |
||||||
|
电路放大倍数***** |
0-100万倍 |
||||||
|
模块尺寸 |
100 *85*20mm or 150*120*20mm or 70*70*50mm |
||||||
尺寸: L100 x W85 x H20 mm
架构: 金属外封
光学输出: 光纤输入或者适配器输入
电接口: 标准DC 5V插座
尺寸: L150 x W120 x H20 mm
架构: 金属外封
光学输出: 光纤输入或者适配器输入
电接口: 标准DC 5V插座
尺寸: L70 x W70 x H50 mm
架构: 金属外封
光学输出: 空间窗口输入或者适配器输入
电接口: 标准DC 5V插座
InGaAs雪崩光电二极管
特点：
高速
平面正照型
TO-Can封装或带尾纤输出
可用增益达到20
应用：
光通讯接收设备
CATV接收机
OTDR
光电特性(T = 22℃)：
| 参 数 | 符号 | 测试条件 | 值 | 典型值 | 值 |
| 光谱响应范围（nm） | λ | 1000 | 1700 | ||
| 光敏面直径(um) | φ50 | ||||
| 响应度(A/W) | Re | λ=1.55um,M=10,φ=1uw | 8 | 8.5 | |
| 击穿电压(V) | VBR | ID=100uA, φ=0 | 30 | 60 | |
| 击穿电压温度系数(V/℃) | δ | TC=-40~+85℃ | 0.1 | 0.15 | |
| 暗电流(nA) | ID | M=10, φ=0 | 1 | 10 | |
| 总电容(pF) | Ctot | M=10, φ=0,f=1MHz | 0.6 | 1 | |
| 响应时间(ns) | fT | M=10, φ=0, λ=1.55um | 0.15 | 0.3 | 0.5 |
| 可用增益 | Mmax | VR=0.98VBR | 20 | ||
| 推荐工作电压(*Vbr) | VR | M=10, φ=1, λ=1.55um | 0.9 | 0.95 | |
note:图片仅供参考,尺寸以实物为准,具体性能指标见每支器件参数
InGaAs光电探测器模块
InGaAs 光电探测器模块集成了InGaAs 雪崩光电探测器、探测器驱动、信号检测放大、信号放大整形输出等部分,可应用于连续或者脉冲光信号的检测、放大整形及温度传感等领域。输出高稳定电压信号给用户,免去客户在使用雪崩光电探测器时的弱信号处理环节。电路久经考验,使用方便。全金属外壳可防止电磁辐射。电路适用范围宽，可驱动各种型号的InGaAs APD。也可根据客户需求进行定制。
特 点
|
·高响应度，高灵敏度 |
·低噪音 |
|
·高性能，低价格 |
·金属外壳，防电磁辐射 |
|
·5V电压输入 |
·使用方便 |
性能指标
|
参数 |
|
典型 |
|
单位 |
|||
|
APD响应波长范围 |
900 |
1550 |
1700 |
nm |
|||
|
APD响应度 |
7 |
8.5 |
10 |
uA/uW |
|||
|
APD响应光敏面* |
50 |
80 |
200 |
um |
|||
|
APD驱动电压** |
38 |
- |
65 |
V |
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|
输入工作电压 |
4.5 |
5 |
5.5 |
V（DC） |
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工作温度 |
0 |
- |
50 |
℃ |
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|
储藏温度 |
-20 |
- |
70 |
℃ |
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输入光功率*** |
-60 |
-40 |
- |
dBm |
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输入饱和光功率**** |
- |
1 |
5 |
mW |
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输出饱和电压 |
- |
- |
3.8 |
V |
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带宽 |
DC-1 |
DC-10 |
DC-50 |
DC-100 |
DC-200 |
DC-1000 |
MHz |
|
噪音密度 |
10000 |
500 |
80 |
nV/rt.Hz |
|||
|
输入光接口 |
1：FC/APC 2：FC/PC可选 |
||||||
|
输出接口 |
1：SMA 2：BNC可选 |
||||||
|
光纤类型 |
1:SMF-28e+ 2:MM62.5 3:MM50 可选 |
||||||
|
电路放大倍数***** |
0-100万倍 |
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模块尺寸 |
100 *85*20mm or 150*120*20mm or 70*70*50mm |
||||||
尺寸: L100 x W85 x H20 mm
架构: 金属外封
光学输出: 光纤输入或者适配器输入
电接口: 标准DC 5V插座
尺寸: L150 x W120 x H20 mm
架构: 金属外封
光学输出: 光纤输入或者适配器输入
电接口: 标准DC 5V插座
尺寸: L70 x W70 x H50 mm
架构: 金属外封
光学输出: 空间窗口输入或者适配器输入
电接口: 标准DC 5V插座
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