T2160N24TOF
INFINEON（英飞凌）
5000
原装
两年内
上海传泽电子科技有限公司、代理功率半导体产品及配套器件、是功率半导体行业之一、公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精神及良好的商业信誉、在电力电子行业树立了良好的企业品牌形...
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M50100THA1600
快达固态继电器Crydom
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CM100DY-12H
56
三菱MITSUBISHI(PRX) IGBT模块+单管IGBT(TO—220、TO—3P)(耐压600/1200/1400/1700/2500/3300V) 型号 技术指标 封装 型号(IGBT单管) 技术指标 封装 CT60AM-20 60A/1000V IGBT单管 原装 CT75SM-12 原装 CT30SM-12 30A/600V IGBT单管 原装 CT15SM-24 15A/1200V IGBT单管 原装 CT35SM-8 200A/400V IGBT单管 原装 CT75AM-12 75A...
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PS21A79
三菱/MITSUBISHI
TO-220
1
3000
深圳
5-7天
21+
致诚达主要代理台湾通嘉,巨风芯,宝砾微, 率能半导体,无锡新洁能，长园维安,芯长征,威兆,成都芯进,旋智等国内产品线以及配套方案设计(直流无刷电机控制器方案提供商)，分销国外ON,Infi...
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2MBI1400VXB-120P-50
FUJITSU(富士通)
电源管理模块
3
\t MODULE
2MBI1400VXB-120P-50数据表 制造商: Power Integrations 产品种类: 电源管理模块 RoHS: 详细信息 产品: IGBT Drivers 输入电压: 15.5 V 工作温度: - 40 C 工作温度: + 85 C 输出功率:...
电话：0755-23140719
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MJ15025G
ON
TO-3
托盘
安森美MJ15025G 双极晶体管 安森美MJ15025G双极晶体管相关资料： 集电极—发射极电压 VCEO:250 V 集电极—基极电压 VCBO:400 V 直流电集电极电流:16 A 工作温度:+ 150 C 三极管：全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半...
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STGF19NC60HD
ST
制造商: STMicroelectronics 产品种类: IGBT 晶体管 RoHS: 详细信息 商标: STMicroelectronics 配置: Single 集电极—发射极电压 VCEO: 600 V 集电极—射极饱和电压: 1.8 V/1.6 V 栅极/发射极电压: +/- 20 V 栅极—射极漏泄电流: +/- 100 nA 功率耗散: 35 W 工作温度: + 150 C 封装 / 箱体: TO-220-3 FP 封装: Tube 集电极...
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SPC5746RK1MMT5
NXP
BGA
19+
目前主要代理分销的品牌包括：AMLOGIC,NXP,ATMEL,CIRRUS,CONEXANT,TECHWELL,TI,HYNIX,SAMSUNG,CYPRESS,IDT,WINBOND,南亚,ST,ETRON,XILINX,ALTERA,MAXIM等可以全系列的订货，长期稳定供应。 深圳市行进微电子有限公司 销售部：胡丽 （Huli） QQ:2850152260 深...
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SKKT57/16E
SEMIKRON/西门康
反向阻断峰值电压 1600（V） 正向重复峰值电压 1600（V） 额定正向平均电流 57（A） 频率特性 高频 功率特性 大功率 散热功能 不带散热片 关断速度 普通 封装外形 平底形 封装材料 金属封装 极数 多极 控制方式 双向 型号 SKKT57/16E 品牌 Semikron西门康
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MCC255-16i01
IXYS
五、IXYS厂家 可控硅模块（MCC=两可控硅串联，MCD=二极管+高端可控硅） MCC26-12IO1B MCC44-12IO1B MCC56-12IO1B MCC72-12IO1B MCC26-16IO1B MCC44-16IO1B MCC56-16IO1B MCC72-16IO1B MCC95-12IO1B MCC132-12IO1B MCC162-12IO1B MCC161-22IO1 MCC95-16IO1B MCC132-16IO1B MCC162-16IO1B VCO132-16IO1 MCC170-12IO1B MCC220-...
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MJYD-ZL-500
RSJ
北京市荣盛佳电子专门代理销售电力电子模块、大功率电源装置和电力电子基础材料。主要产品有各种型号规格的晶闸管智能控制模块、恒流恒压控制模块、智能电机控制模块、 双闭环直流调速模块、普通晶闸管模块、桥式整流模块、双反星形整流模块、固态继电器、直流电机斩波调速模块、集成IGBT变频器模块、IPM智能功率模块、多功...
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KP300A800V
湖北台基半导体
Y24KPC 400-1.0 1-200 0.8-2.5 20-150 2.2/900 0.75 0.7 0..3-5.5 outline Y30KPC 400-1.0 1-250 0.8-2.5 20-200 2.2/1200 0.7 0.35 0..3-10 outline *Y35KPC 400-11 1-250 0.8-2.5 20-200 1.8/1500 0.80 0.40 0. outline Y38KPC 400-1 1-300 0.8-2.5 20-250 1.8/1800 0.8 0.35 0. outline Y40KPC 400-1 1-300 0.8-2.5 20-2...
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T501N70TOH
EUPEC
T348N06TOF T1078N06TOF T308F06TSC T398N07TOF T1258N06TOF T698F06TEC T568N06TOF T2509N06TOF T1078F04TSC T828N06TOF T3709N04TOF T618N14TOF T221N18BOF T588N18TOF T1049N18TOF T619N14TOFT345N18EOF T589N18TOF T1189N18TOF T298N16TOF T358N18TOF T648N18TOF T1500N18TOF T378N16TOF T370N18BOF T649N18TOF T1509N1...
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3MTDC250
正高
晶闸管集成智能模块使用简介 1、晶闸管智能模块的应用领域 该智能模块广泛应用于控温、调光、励磁、电镀、电解、充放电、电焊机、等离子拉弧、逆变电源等需对电力能量大小进行调整和变换的场合，如工业、通讯、*等各类电气控制、电源等，根据还可通过模块的控制端口与多功能控制板连接，实现稳流、稳压、软启动等功能，并可...
电话：0533-7369626
手机：13082704440
FF300R12KS4
英飞凌
1979年，MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的先驱即已被介绍到世间。这种器件表现为一个类晶闸管的结构(P-N-P-N四层组成)，其特点是通过强碱湿法刻蚀工艺形成了V形槽栅。 80年代初期，用于功率MOSFET制造技术的DMOS(双扩散形成的金属-氧化物-半导体)工艺被采用到IGBT中来。[2]在那个时候，硅芯片的结构是一种较厚的NPT(非穿通)...
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2N7002DW-7
MAXLM、IR、FAIROHILD
可控硅(SCR) 可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、*等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机...
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EMG45-NZG/G12/SI
菲尼克斯
深圳广丰裕电子科技有限公司是集研发、生产制造、销售、技术服务于一体的半导体生产销售企业。主要产品有：全系列桥式整流器、全系列二*管、整流及可控硅模块、大功率电力硅整流器件及配套电子元器件产品。公司优势产品为：HER/UF系列快恢复二*管、连接器，SMA/B/C贴片式二*管、SKY/TVS轴向及贴片式二*管、全系列GPP玻璃钝...
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