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可控硅(晶闸管)模块

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单向可控硅(晶闸管) 双向可控硅(晶闸管) 可控硅(晶闸管)模块

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维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

公司类型
深圳
源头工厂
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TYN612MRG封装TO-220可控硅（晶闸管）模块
TYN612MRG封装TO-220可控硅（晶闸管）模块
  • 型号/规格：

    TYN612MRG

  • 品牌/商标：

    ST（意法）

  • 日期：

    21+

  • 封装：

    TO-220

  • 类别：

    分立半导体产品 晶闸管 - SCR

产品编号：TYN612MRG 描述：SCR 600 V 12 A 标准恢复型 通孔 TO-220 产品属性 类型 描述 选择 类别 分立半导体产品 晶闸管 - SCR 制造商 ...

FP150R12KT4 产品种类:IGBT 模块
FP150R12KT4 产品种类:IGBT 模块
  • 型号/规格：

    FP150R12KT4

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 产品：

    IGBT Silicon Modules

  • 年份：

    22+

  • 数量：

    10

中扬电子成立于2016年，公司总部位于香港，且在深圳，美国，英国，日本，新加坡、以色列、港澳台地区设立专门的销售及采购部门，并与欧美，日韩等国数百家原厂及代理商签订了战略合作...

产品种类: IGBT 模块BSM20GP60
产品种类: IGBT 模块BSM20GP60
  • 型号/规格：

    BSM20GP60

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装：

    EconoPIM2

  • 批号：

    22+

  • 数量：

    8000

型号：BSM20GP60 深圳市腾桩电子有限公司，是电子元器件的国际分销商，代理分销TOSHIBA,IR,ST,ON,FAIRCHILD,TI,NXP,MAXIM-DALLAS，ADI,ALTERA,XILINX,MICROCHIP,品牌各种模拟器件、电...

产品种类: IGBT 晶体管 IRGI4061DPBF
产品种类: IGBT 晶体管 IRGI4061DPBF
  • 型号/规格：

    IRGI4061DPBF

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装：

    TO-220FP-3

  • 批号：

    22+

  • 数量：

    8000

型号：IRGI4061DPBF 深圳市腾桩电子有限公司，是电子元器件的国际分销商，代理分销TOSHIBA,IR,ST,ON,FAIRCHILD,TI,NXP,MAXIM-DALLAS，ADI,ALTERA,XILINX,MICROCHIP,品牌各种模拟器件...

产品种类: IGBT 模块 FNE41060
产品种类: IGBT 模块 FNE41060
  • 型号/规格：

    FNE41060

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装：

    SPMAA-A26

  • 批号：

    22+

  • 数量：

    8000

型号：FNE41060 深圳市腾桩电子有限公司，是电子元器件的国际分销商，代理分销TOSHIBA,IR,ST,ON,FAIRCHILD,TI,NXP,MAXIM-DALLAS，ADI,ALTERA,XILINX,MICROCHIP,品牌各种模拟器件、电...

波光电子 IR 40TPS08PBF TO-247 可控硅
波光电子 IR 40TPS08PBF TO-247 可控硅
  • 品牌：

    IR

  • 型号：

    40TPS08PBF

  • 控制方式：

    单向

  • 封装材料：

    塑料封装

  • 封装外形：

    平板形

  • 控制极触发电流：

    1

  • 供货方式：

    仅订货

  • 反向重复峰值电压：

    1

深圳市波光电子有限公司，起源于1985年，正式成立于2002年，是一家国际品牌半导体代理分销公司，主要服务于中小型电子制造企业。我可提供一系列的元器件服务，包括现货供应，期货订货...

FF450R12KE4 IGBT 模块
FF450R12KE4 IGBT 模块
  • 型号/规格：

    FF450R12KE4

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • IGBT 类型：

    沟槽型场截止

  • 配置：

    2 个独立式

  • 电压 - 集射极击穿：

    1200 V

  • 电流 - 集电极 (Ic)：

    520 A

  • 功率：

    2400 W

  • 电流 - 集电极截止：

    5 mA

FF450R12KE4 IGBT 模块 沟槽型场截止 2 个独立式 1200 V 520 AIGBT 类型 沟槽型场截止 配置 2 个独立式 电压 - 集射极击穿（ 大值） 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（ 大值） 520 A 功率 ...

晶闸管 MCR708AT4 SCR
晶闸管 MCR708AT4 SCR
  • 型号/规格：

    MCR708AT4

  • 品牌/商标：

    Littelfuse（力特）

  • 产品族：

    晶闸管 - SCR

  • 电压：

    600V

MCR708AT4介绍： 描述 THYRISTOR SCR 4A 600V DPAK 制造商标准提前期 37 周 详细描述 SCR 600V 4A Sensitive Gate Surface Mount DPAK 类别 分立半导体产品 晶闸管 - SCR 制造商 Littelfuse Inc. 系列 - 包装 带卷（TR） 零件状态 在售 电压 - 断态 600V 电压...

SS8550LT1G我是配单BOM专家 终端采购配单首选！
SS8550LT1G我是配单BOM专家 终端采购配单首选！
  • 型号/规格：

    SS8550LT1G

  • 品牌/商标：

    65

  • 2：

    2

  • 1：

    3

深圳市合江泰电子有限公司成立于2002年，公司自成立以来，一直致力于世界各电子元器件的推广与销售，是一家化的极具综合竞争优势的电子元器件供应商。 主要经营直插贴片、通信集成系列、工业级系列，其中以PHILIPS、IR、MOTOROLA、NS、TI、NEC、TOSHIBA 等为...

深圳市康瑞琪电子科技有限公司:
深圳市康瑞琪电子科技有限公司:
  • 型号/规格：

    SKKT57/16e

  • 品牌/商标：

    SEMIKRON（西门康）

深圳市康瑞琪电子科技有限公司。 分类： 西门康可控硅模块 SKKT57/16E可控硅也称作晶闸管，它是由PNPN四层半导体构成的元件，有三个电极，阳极A，阴极K和控制极G。可控硅在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，并且不象继电器那样控制时有火花产生，而且动作快、寿命长、可靠性好。在调速、调光、调压、...

BT169GW-600 杰盛微原厂直供
BT169GW-600 杰盛微原厂直供
  • 型号/规格：

    BT169GW-600

  • 品牌/商标：

    杰盛微

  • 封装：

    SOT-223-4

  • 可控硅类型：

    1个双向可控硅

  • 通态RMS电流(It(rms))：

    800mA

  • 门极平均耗散功率(PG(AV))：

    100mW

  • 浪涌电流(Itsm@f)：

    10A@10ms

BT169GW-600 杰盛微原厂直供深圳市杰興電子有限公司 专营二.三级管等电子,诚信合作. 欢迎大众惠顾! 强势推出原装大功率三极管打造市场 本公司zui新到货大功率功放音响配对管:2SA1939-...

MRS30M生产日期2025年 电子工厂渠道货源
MRS30M生产日期2025年 电子工厂渠道货源
  • 型号/规格：

    MRS30M

  • 品牌/商标：

    深圳宏芯光电子

  • 生产日期：

    2024+

  • 工作温度：

    -55℃~+125℃

  • 质保：

    5年

型号LTR-553ALS-WALTR-308ALS-01LTR-507ALS-01LTR-329ALS-01<div style=...

专业代理英飞凌 IGBT 模块 Infineon IGBT Modules F4-25R12NS4
专业代理英飞凌 IGBT 模块 Infineon IGBT Modules F4-25R12NS4
  • 型号/规格：

    F4-25R12NS4

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

代理 英飞凌 IGBT 模块 Infineon IGBT Modules up to 600V - 650V IGBT模块600V/650V IGBT模块1200V IGBT模块1600V / 1700V IGBT模块3300V IGBT模块4500V / 6500V SmartPIM和SmartPACK功率模块 深圳市汶政科技有限公司 www.wenzon.cn 代理Infineon英飞凌IGBT模块 常备以下库存： FS3L50R07W2H3F_B11，FF400R06KE3，FP30R07U...

6MBI450V-120-50
6MBI450V-120-50
  • 型号/规格：

    6MBI450V-120-50

  • 品牌/商标：

    FUJITSU(富士通)

  • 批次：

    23+

  • 封装：

    模块IGBT

  • 数量：

    200

  • 原装：

    深圳现货

参数列表搜索代替器件技术参数极性N-Channel工作温度(Max)150 ℃耗散功率(Max)2.25 kW封装参数安装方式PCB引脚数29封装M629外形尺寸长度162 mm宽度150 mm高度17 mm封装M629其他产品生...

TPDV1240
TPDV1240
  • 型号/规格：

    TPDV1240

  • 品牌/商标：

    ST

  • ST：

    TPDV1240

  • S：

    TPDV1240RG

  • STN：

    TPDV1240

全新原装供应 HIGH COMMUTATION : &amp;gt; 142 A/ms (400Hz) INSULATING VOLTAGE = 2500V (RMS) (UL RECOGNIZED : EB81734) HIGH VOLTAGE CAPABILITY : V DRM = 1200 V TPDV1240...

TISP61089BDR-S瞬态电压抑制器（TVS）
TISP61089BDR-S瞬态电压抑制器（TVS）
  • 型号/规格：

    TISP61089BDR-S

  • 品牌/商标：

    Bourns

  • 封装：

    8-SOIC

  • 批号：

    22+

  • 安装类型：

    表面贴装型

产品简介：TISP61089BDR-S瞬态电压抑制器（TVS） 类别 电路保护瞬态电压抑制器（TVS）晶闸管 制造商 Bourns Inc. 系列 -TISP61089BDR-S瞬态电压抑制器（TVS）包装 卷带（TR）剪切带（...

IGBT 晶体管FGH60T65SHD-F155
IGBT 晶体管FGH60T65SHD-F155
  • 型号/规格：

    FGH60T65SHD-F155

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 集电极—射极饱和电压:1.6 V：

    集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V

  • 在25 C的连续集电极电流:120 A：

    栅极/发射极最大电压:- 20 V, 20 V

  • -55C：

    最大工作温度:+ 175 C

产品种类: IGBT 晶体管 RoHS: 详细信息 REACH - SVHC: 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 配置: Single 集电极—发射极电压 VCEO: 650 V 集电极—射极饱和电压: 1.6 V 栅极/...

LM78H12K 三端稳压管
LM78H12K 三端稳压管
  • 型号/规格：

    LM78H12K

  • 品牌/商标：

    NS

  • 封装：

    TO-3

  • 批次：

    NA

  • 起订：

    1

深圳市佳芯恒业科技有限公司是一家面对科研单位和OEM的供应商.公司自成立以来，一直致力于成为IC品牌独立分销商，我们更注重于公司的信誉，产品的质量以及附加值的体现。令你无后顾之...

士兰微 IGBT管 SGT75T65SDM1P7 TO-247
士兰微 IGBT管 SGT75T65SDM1P7 TO-247
  • 型号/规格：

    SGT75T65SDM1P7

  • 品牌/商标：

    士兰微

  • 封装：

    TO-247-3L

  • 参数：

    75A 650V

  • 包装方式：

    料管

  • 环保等级：

    无铅

SGT75T65SDM1P7描述SGT75T65SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止（Field Stop Ⅲ）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域...

INFINEON系列IGBT 模块 BSM35GP120
INFINEON系列IGBT 模块 BSM35GP120
  • 型号/规格：

    BSM35GP120

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

全新原装，公司现货。 BSM35GP120 参数： 制造商: Infineon 产品种类: IGBT 模块 RoHS: 否 产品: IGBT Silicon Modules 配置: Hex 集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V 集电极—射极饱和电压: 2.4 V 在25 C的连续集电极电流: 45 A 栅极—射极漏泄电流: 300 nA 功率耗散: 230 W 工作温度: + 125 C 栅极/发射极电压: +/- 20 V 工...

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