标准包装 160 类别 半导体模块 家庭 IGBT 系列 - IGBT 类型 - 配置 三相反相器电压 - 集电极发射极击穿（） 600V Vge, Ic时的Vce（开） 2V @ 15V, 11A 电流 - 集电极 (Ic)（） 11A 电流 - 集电极截止（） 250µA Vce 时的输入电容 (Cies) 0.74nF @ 30V 功率 - 36W 输入 标准型 NTC 热敏电阻 无安装类型 通孔封装/外壳 19-SIP（13 引线），IMS-2

主营：传感器、可编程逻辑器件、存储器、存储控制器、射频(RF)、开关、多路复用器与分离器、微处理器(MPU)、微控制器(MCU)、控制器、放大器、数字信号处理器(DSP)、数字电位器、数据与信号转换、时钟,定时与频率管理、有源滤波器、特殊功能、电压基准 、电池...

 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

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